Onsemi FGHL50T65MQDTx Field Stop Trench IGBT — это среднескоростные IGBT четвертого^го поколения, оснащенные полнофункциональным токовым диодом. . Эти IGBT работают при максимальной температуре перехода 175°C. К особенностям относятся высокая токовая нагрузка, плавное и оптимизированное переключение, а также точное распределение параметров. Типичные области применения включают солнечные инверторы, ИБП, ESS, преобразователи и FPS.
Функции
• Максимальная температура перехода: TJ = 175°C.
• Положительный температурный коэффициент для удобной параллельной работы.
• Сильноточные возможности
• Низкое напряжение насыщения: VCE(Sat) = 1,45 В (тип.) при IC = 50 А.
• 100% деталей проверены на ILM (примечание 2).
• Плавное и оптимизированное переключение
• Плотное распределение параметров
• Соответствует RoHS
Производитель: Онсеми
Тип продукта: IGBT-транзисторы
Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.): 650 В
Ток-коллектор (Ic) (Макс): 80 А
Ток — импульсный коллектор (Icm): 200 А
Vce(on) (Макс.) @ Vge, Ic: 1,8 В @ 15 В, 50 А
Мощность — Макс: 268 Вт
Энергия переключения: 1 мДж (вкл.), 850 мкДж (выкл.)
Тип ввода: Стандартный
Заряд ворот: 99 нКл
Td (вкл/выкл) при 25°C: 50 нс/336 нс
Условия тестирования: 400 В, 50 А, 30 Ом, 15 В
Время обратного восстановления (trr): 79 нс
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (ТДж)
Тип монтажа: Сквозное отверстие
Тип упаковки/кейс: TO-247-4