Траншейные IGBT Onsemi FGHL75T65LQDT обеспечивают высокий ток и работают при максимальной температуре 175°C. Эти IGBT отличаются плавным и оптимизированным переключением и точным распределением параметров. FGHL75T65LQDT IGBT с полевым стопором оснащены диодами с мягким и быстрым восстановлением и соответствуют требованиям RoHS. Приложения включают солнечные инверторы, ИБП, ESS, PFC и преобразователи.
Функции
• Максимальная температура перехода: TJ = 175°C.
• Положительный температурный коэффициент для удобной параллельной работы.
• Сильноточные возможности
• Низкое напряжение насыщения: VCE(Sat) = 1,15 В (тип.) при IC = 75 А.
• 100% деталей проверены на ILM (примечание 2).
• Плавное и оптимизированное переключение
• Плотное распределение параметров
• В комплекте с диодом мягкого и быстрого восстановления.
• Соответствует RoHS
Производитель: Онсеми
Тип продукта: IGBT-транзисторы
Тип IGBT: Траншейный полевой стоп
Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.): 650 В
Ток-коллектор (Ic) (Макс): 80 А
Ток — импульсный коллектор (Icm): 300 А
Vce(on) (Макс.) @ Vge, Ic: 1,35 В @ 15 В, 75 А
Мощность — Макс: 469 Вт
Энергия переключения: 1,01 мДж (вкл.), 2,53 мДж (выкл.)
Тип ввода: Стандартный
Заряд ворот: 779 нКл
Td (вкл/выкл) при 25°C: 40 нс/548 нс
Условия тестирования: 400 В, 75 А, 4,7 Ом, 15 В
Время обратного восстановления (trr): 87 нс
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (ТДж)
Тип монтажа: Сквозное отверстие
Тип упаковки/кейс: TO-247-4