Onsemi FGHL75T65MQDTx Trench IGBT — это среднескоростные IGBT четвертого^го поколения, оснащенные полностью номинальным токовым диодом. IGBT FGHL75T65MQDTx работают при максимальной температуре перехода 175°C, напряжении коллектор-эмиттер 650 В и токе коллектора 75 А. Эти IGBT имеют положительный температурный коэффициент, что обеспечивает простую параллельную работу, выдерживают большие токи, плавное и оптимизированное переключение, а также точное распределение параметров. FGHL75T65MQDT построен в корпусе TO247-3L, а IGBT FGHL75T65MQDTL4 — в корпусе TO247-4L. Эти IGBT идеально подходят для применения в солнечных инверторах, ИБП, ESS, PFC и преобразователях.
Функции
• Максимальная температура перехода: TJ = 175°C.
• Положительный температурный коэффициент для удобной параллельной работы.
• Сильноточные возможности
• Низкое напряжение насыщения: VCE(Sat) = 1,45 В (тип.) @ IC = 75 А
• 100% деталей проверены на ILM (примечание 2).
• Плавное и оптимизированное переключение
• Плотное распределение параметров
• Соответствует RoHS
Производитель: Онсеми
Тип продукта: IGBT-транзисторы
Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.): 650 В
Ток-коллектор (Ic) (Макс): 80 А
Ток — импульсный коллектор (Icm): 300 А
Vce(on) (Макс.) @ Vge, Ic: 1,8 В @ 15 В, 75 А
Мощность — Макс: 375 Вт
Энергия переключения: 2,35 мДж (вкл.), 1,25 мДж (выкл.)
Тип ввода: Стандартный
Заряд ворот: 149 нКл
Td (вкл/выкл) при 25°C: 24 нс/118 нс
Условия тестирования: 400 В, 75 А, 4,7 Ом, 15 В
Время обратного восстановления (trr): 107 нс
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (ТДж)
Тип монтажа: Сквозное отверстие
Тип упаковки/кейс: ТО-247-3