Модули Infineon PIM IGBT на 1200 В используют диодную технологию TRENCHSTOP™ IGBT7 и EC7, основанную на новейшей технологии траншей с микроструктурой. Эта технология обеспечивает сильно сниженные потери и обеспечивает высокий уровень управляемости. Концепция ячейки характеризуется использованием параллельных ячеек с траншеями, разделенных субмикронными мезоэлементами, по сравнению с ранее использовавшимися ячейками с квадратными траншеями. Чип специально оптимизирован для промышленных приводов и систем солнечной энергетики, что означает гораздо меньшие статические потери, более высокую плотность мощности и более плавное переключение. Значительного увеличения удельной мощности можно добиться за счет повышения допустимой максимальной рабочей температуры до 175°C в модулях Infineon 1200 В PIM IGBT.
Функции
• Электрические характеристики
— ВЦЭС = 1200 В
— IC ном = 200 А / ICRM = 400 А
— TRENCHSTOPTM IGBT7
— Работа при перегрузке до 175°C
— Низкий VCEsat
• Механические характеристики
— Встроенный датчик температуры NTC
— Контактная технология PressFIT
— Медная опорная пластина
— Ал2О3
подложка с низким термическим сопротивлением
Производитель: Infineon Technologies
Тип продукта: Модули IGBT
Конфигурация: 3-фазный инвертор
Напряжение коллектор-эмиттер VCEO Макс.: 1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1,55 В
Непрерывный ток коллектора при 25 C: 200 А
Ток утечки затвор-эмиттер: 100 нА
Минимальная рабочая температура: — 40 С.
Максимальная рабочая температура: + 175 С
Максимальное напряжение затвора-эмиттера: 20 В.
Тип монтажа: Крепление на печатную плату
Тип упаковки: Лоток