Перейти к содержимому
  • Не нашли нужные компоненты – отправьте Вашу спецификацию нам на email
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
0 ₽ 0 Cart
Главная
/
Каталог

/Электроника
/
HMC8413LP2FE

LFCSP_6
HMC8413LP2FE

HMC8413LP2FE

SKU : hmc8413lp2fe
Категории: Электроника
Analog Devices Inc.

Детали

Производитель

Analog Devices Inc.

Тип

RF Amplifier

Под заказ

10 в наличии

Спецификация (Data Sheet)
Analog Devices Inc. HMC8413 Low-Noise Amplifier is a gallium arsenide (GaAs), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), low noise wideband amplifier that operates from 0.01GHz to 9GHz.

The HMC8413 provides a typical gain of 19.5dB and a 1.9dB typical noise figure. The device has a typical output third-order intercept (OIP3) of 35dBm at 0.01GHz to 7GHz, requiring only 95mA from a 5V supply voltage. The saturated output power (PSAT) of 22dBm typical at 0.01GHz to 7GHz enables the low noise amplifier to function as a local oscillator (LO) driver for many Analog Devices, Inc., balanced, in-phase/quadrature (I/Q) or image rejection mixers.

The HMC8413 also features inputs and outputs internally matched to 50Ω, making the device ideal for surface-mounted technology (SMT)-based high capacity microwave radio applications. The HMC8413 is housed in a RoHS-compliant, 2mm × 2mm, 6-lead LFCSP.

ФУНКЦИИ:
-Низкий уровень шума: типичный 1,9 дБ в диапазоне от 0,01 до 7 ГГц.
-Один положительный источник питания (самосмещенный)
-Высокое усиление: типичное значение 19,5 дБ в диапазоне от 0,01 до 7 ГГц.
-Высокий OIP3: типичное значение 35 дБм в диапазоне от 0,01 до 7 ГГц.
— Соответствует RoHS, 2 мм × 2 мм, 6-выводной LFCSP
Производитель: Analog Devices Inc.
Тип продукта: РЧ-усилитель
RoHS: Соответствует
Серия: HMC8413
Тип монтажа: СМД/СМТ
Тип упаковки/кейс: LFCSP-6
Тип упаковки: Разрезанная лента
Технология: GaAs
Рабочая частота: от 10 МГц до 7 ГГц
P1дБ — точка сжатия: 21,5 дБм
Усиление: 19,5 дБ
Рабочее напряжение питания: 5 В
NF — коэффициент шума: 1,9 дБ
OIP3 — перехват третьего порядка: 35 дБм
Рабочий ток питания: 95 мА
Минимальная рабочая температура: — 40 С.
Максимальная рабочая температура: + 85 С
Комплект разработчика: EV1HMC8413LP2F
Входные обратные потери: 15 дБ
Количество каналов: 1 канал
Pd — Рассеиваемая мощность: 1,25 Вт
Тестовая частота: от 0,01 ГГц до 7 ГГц

Обсудить "HMC8413LP2FE"

Наши специалисты свяжутся с вами в ближайшее время!

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с политикой конфиденциальности

Похожие товары

В каталог
KAF21BR72A103JT
Производитель:
KYOCERA AVX
Подробнее
KAF21KR72A473KL
Производитель:
KYOCERA AVX
Подробнее
KAF31NR72A104KU
Производитель:
KYOCERA AVX
Подробнее
KAM05AR71H472JH
Производитель:
KYOCERA AVX
Подробнее
KAM05AR71H332JH
Производитель:
KYOCERA AVX
Подробнее
KAM21BR72A103KM
Производитель:
KYOCERA AVX
Подробнее
KAF15AR72A332KT
Производитель:
KYOCERA AVX
Подробнее
KGF15AR71H103KT
Производитель:
KYOCERA AVX
Подробнее
Страницы
  • Главная
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
Ассортимент
  • Каталог
  • Корзина
  • Оформление
Документы
  • Обработка персональных данных
  • Принцип работы
  • Политика конфиденциальности
  • Реквизиты
Контакты
  • г. Москва, ул. Зацепа, д. 28, стр. 1, офис №2
  • procurement@esp.com.ru
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

Копирайт © 2025 SpaceChip, Все права защищены.