Траншейные МОП-транзисторы SiC CoolSiC™ 1200 В компании Infineon Technologies сочетают в себе сильные физические характеристики карбида кремния с уникальными функциями, которые повышают производительность устройства, надежность и простоту использования. Карбид-транзисторные МОП-транзисторы CoolSiC 1200 В созданы на основе современной полупроводниковой технологии, оптимизированной для обеспечения как минимальных потерь в приложении, так и высочайшей надежности в работе. Эти устройства подходят для работы при высоких температурах и суровых условиях окружающей среды и обеспечивают упрощенное и экономичное развертывание системы с максимальной эффективностью.

Траншеные SiC МОП-транзисторы CoolSiC™ 1200 В предлагаются в компактных корпусах TO-247-3 и TO-247-4. Корпус ТО-247-4 содержит дополнительное соединение с истоком (соединение Кельвина), которое используется в качестве опорного потенциала для напряжения управления затвором, тем самым устраняя влияние падения напряжения на индуктивность истока. В результате потери переключения еще ниже, чем у версии ТО-247-3, особенно при более высоких токах и более высоких частотах переключения.