Функции
• Оптимизирован для широкого спектра применений.
• N-канал, нормальный уровень
• 100 % проверено лавинами.
•Покрытие без свинца;Соответствует RoHS
•Без галогенов согласно IEC61249-2-21.
Производитель: Infineon Technologies
Серия: StrongIRFET™ 2
Пакет: Трубка
Статус продукта: Активный
Тип полевого транзистора: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение сток-исток (Vdss): 80 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C: 20 А (Ta), 129 А (Tc)
Напряжение привода (макс. показания вкл., мин. вкл.): 6 В, 10 В
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: 4 мОм при 70 А, 10 В
Vgs(th) (Макс.) @ Id: 3,8 В @ 85 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs: 81 нК @ 10 В
Вгс (макс.): ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) при Vds: 3800 пФ при 40 В
Рассеиваемая мощность (макс.): 3 Вт (Ta), 150 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (ТДж)
Тип монтажа: поверхностное крепление
Комплект поставки устройства: PG-TO252-3
Тип упаковки/кейс: ТО-252-3, DPak (2 вывода + вкладка), SC-63