| Производитель | |
|---|---|
| Тип |
15 в наличии
МОП-транзисторы CoolMOS™ PFD7 SJ компании Infineon Technologies 950 В используют технологию суперперехода (SJ). Технология SJ идеально подходит для освещения и промышленных источников питания, сочетая в себе лучшие в своем классе характеристики и современную простоту использования. PFDJ имеет встроенный сверхбыстрый диод, позволяющий использовать его в резонансных топологиях с наименьшим зарядом обратного восстановления (Qrr).
МОП-транзисторы Infineon 950V CoolMOS PFD7 SJ обладают превосходной устойчивостью к жесткой коммутации, что позволяет использовать их в резонансных топологиях. Устройства обеспечивают дополнительный запас прочности для конструкций с повышенным напряжением шины.
Функции
• Интегрированный сверхбыстрый диод.
• Лучший в своем классе способ обратного восстановления Qrr.
•Лучший в своем классе FOMRDS(on)*Eoss,reducedQg,Ciss иCoss
• Лучшее в своем классе значение напряжения 3 В и наименьшее отклонение напряжения GS ± 0,5 В.
• Встроенный быстрый диод.
•Лучшее в своем классе качество и надежность CoolMOS™.
•Полностью оптимизированное портфолио
• Лучшие в своем классе пакеты RDS(on)inTHD и SMD.
•Защита от ЭСР мин.Класс 2 (HBM)
Производитель: Infineon Technologies
Тип продукта: МОП-транзистор
Полярность транзистора: N-канал
Количество каналов: 1 канал
Vds — напряжение пробоя сток-исток: 950 В
Id — непрерывный ток стока: 17,5 А
Rds On — сопротивление сток-исток: 310 мОм
Vgs — Напряжение затвор-исток: — 30 В, + 30 В
Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток: 3,5 В
Qg — заряд ворот: 61 нКл
Минимальная рабочая температура: — 55 С.
Максимальная рабочая температура: + 150 С
Pd — Рассеиваемая мощность: 125 Вт
Режим канала: Улучшение
Конфигурация: Одиночная
Время спада: 4 нс
Время нарастания: 10 нс
Типичное время задержки выключения: 61 нс
Типичное время задержки включения: 13 нс
Технология: Си
Тип монтажа: Сквозное отверстие
Тип упаковки/кейс: PG-TO-247-3
Наши специалисты свяжутся с вами в ближайшее время!