Перейти к содержимому
  • Не нашли нужные компоненты – отправьте Вашу спецификацию нам на email
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
0 ₽ 0 Cart
Главная
/
Каталог

/Транзисторы/Электроника/Печатные платы и компоненты
/
IQE013N04LM6CGSCATMA1

PG-WHTFN-9_DSL_16a3e2f2-721d-451d-a275-6596e3d958db
IQE013N04LM6CGSCATMA1

IQE013N04LM6CGSCATMA1

SKU : iqe013n04lm6cgscatma1
Категории: Печатные платы и компоненты, Транзисторы, Электроника
Infineon Technologies

Детали

Производитель

Infineon Technologies

Тип

MOSFET

Под заказ

20 в наличии

Спецификация (Data Sheet)
IQE013N04LM6CGSCATMA1
Производитель: Infineon Technologies
Описание: МОП-транзистор
Жизненный цикл: Новый продукт: Новинка от этого производителя.
Инфинеон
Категория продукта: МОП-транзистор
Да
SMD/SMT
PG-WHTFN-9
N-канал
1 канал
40 В
31 А
1,35 мОм
— 20 В, + 20 В
2 В
41 нК
— 55 С
+175 С
2,5 Вт
Улучшение
Катушка
Разрезать ленту
Бренд: Инфинеон Технологии
Время осени: 4,9 нс
Прямая крутизна – мин: 260 С
Тип продукта: МОП-транзистор
Время нарастания: 3,6 нс
Норма упаковки: 6000
Подкатегория: МОП-транзисторы
Тип транзистора: 1 N-канал
Типичное время задержки выключения: 21 нс
Типичное время задержки включения: 7,1 нс
Псевдонимы № части: IQE013N04LM6CGSC SP005559058

Функции
•Оптимизирован для синхронного исправления.
•N-канал, логический уровень
•Verylowon-резистентностьRDS(вкл.)
• Превосходная термостойкость
• 100 % проверено лавинами.
•Покрытие без свинца;Соответствует RoHS
•Без галогенов согласно IEC61249-2-21.
Производитель: Инфинеон
Категория продукта: МОП-транзистор
Технология: Си
Тип монтажа: СМД/СМТ
Тип упаковки/кейс: PG-WHTFN-9
Полярность транзистора: N-канал
Количество каналов: 1 канал
Vds — напряжение пробоя сток-исток: 40 В
Id — непрерывный ток стока: 31 А
Rds On — сопротивление сток-исток: 1,35 мОм
Vgs — Напряжение затвор-исток: — 20 В, + 20 В
Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток: 2 В
Qg — заряд ворот: 41 нКл
Минимальная рабочая температура: — 55 С.
Максимальная рабочая температура: + 175 С
Pd — Рассеиваемая мощность: 2,5 Вт
Режим канала: Улучшение
Тип упаковки: Катушка
Тип упаковки: Разрезанная лента
Время спада: 4,9 нс
Прямая крутизна — мин: 260 С
Время нарастания: 3,6 нс
Тип транзистора: 1 N-канальный
Типичное время задержки выключения: 21 нс
Типичное время задержки включения: 7,1 нс

Обсудить "IQE013N04LM6CGSCATMA1"

Наши специалисты свяжутся с вами в ближайшее время!

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с политикой конфиденциальности

Похожие товары

В каталог
BSC093N15NS5SCATMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
ISC800P06LMATMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
IPDQ60R065S7XTMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
DTB523YMT2L
Производитель:
ROHM Semiconductor
Подробнее
UJ4SC075009B7S
Производитель:
UnitedSiC
Подробнее
DTC643TKT146
Производитель:
ROHM Semiconductor
Подробнее
DTB523YETL
Производитель:
ROHM Semiconductor
Подробнее
RN4988,LXHF(CT
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробнее
Страницы
  • Главная
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
Ассортимент
  • Каталог
  • Корзина
  • Оформление
Документы
  • Обработка персональных данных
  • Принцип работы
  • Политика конфиденциальности
  • Реквизиты
Контакты
  • г. Москва, ул. Зацепа, д. 28, стр. 1, офис №2
  • procurement@esp.com.ru
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

Копирайт © 2025 SpaceChip, Все права защищены.