Функции
• DD = VDDQ = 1,2 В ± 60 мВ
• ВПП6нМ6М6
• Внутренняя регулируемая генерация VREFDQ на кристалле.
• Вход/выход с псевдооткрытым стоком 1,2 В.
• Максимальная температура до 95°C
o 64 мс, 8192 цикла обновления до 85°C
o 32 мс, 8192 цикла обновления при температуре от >85°C до 95°C
• 16 внутренних банков (x4, x8): 4 группы по 4 банка в каждой
• 8 внутренних банков (x16): 2 группы по 4 банка в каждой
• 8n-битная архитектура предварительной выборки
• Программируемые преамбулы строба данных.
• Обучение преамбуле стробирования данных
• Задержка команды/адреса (CAL)
• Многоцелевой регистр с возможностью чтения и записи.
• Написать прокачку
• Режим самообновления
• Автоматическое самообновление с низким энергопотреблением (LPASR).
• Обновление с контролем температуры (TCR)
• Обновление с высокой степенью детализации.
• Отмена самообновления
• Максимальная экономия энергии
• Калибровка выходного драйвера
• Номинальное, парковое и динамическое завершение на кристалле (ODT)
• Инверсия шины данных (DBI) для шины данных.
• Четность команды/адреса (CA)
• Контроль циклической избыточности записи данных (CRC) на шине данных.
• Адресация по DRAM
Производитель: Микрон Технология
Тип продукта: ДРАМ
RoHS: Соответствует
Тип монтажа: СМД/СМТ
Организация: 1 Г х 16
Размер памяти: 16 Гбит