Устройства памяти Micron GDDR6 представляют собой высокопроизводительное решение памяти, которое обеспечивает более быструю обработку и буферизацию пакетов данных за счет 32 DQ на каждый компонент и скорость передачи данных до 16 Гбит/с. Эти устройства отвечают постоянно растущим требованиям к пропускной способности требовательных высокопроизводительных решений, таких как высокопроизводительные вычисления (HPC), игровые, автомобильные и сетевые приложения. Модули памяти GDDR6 сокращают время вывода на рынок благодаря упрощенной конструкции печатной платы и меньшему количеству слоев печатной платы. Это удваивает полезное пространство на печатной плате и снижает совокупную стоимость владения (TCO) за счет сокращения общего количества материалов (BOM). Типичные области применения включают игровые консоли, графические карты, сетевую маршрутизацию и коммутацию, карты для майнинга криптовалют (интегральные схемы для конкретных приложений) и ускорение высокопроизводительных вычислений.
Функции
• VDD = VDDQ = 1,35 В ±3% и 1,25 В ±3%
• VPP = 1,8 В –3%/+6%
• Скорость передачи данных: 14 Гбит/с, 16 Гбит/с
• 2 отдельных независимых канала (x16)
• Конфигурации режимов x16/x8 и 2-канальный/псевдоканал (ПК) устанавливаются при сбросе
• Несимметричные интерфейсы на канал для команды/адреса (CA) и данных
• Дифференциальный тактовый вход CK_t/CK_c для CA на 2
каналы
• Два дифференциальных тактовых входа WCK_t/WCK_c на каждый
канал для данных (DQ, DBI_n, EDC)
• Команда/адрес (CK) с двойной скоростью передачи данных (DDR)
• Четырехскоростная передача данных (QDR) и двойная скорость передачи данных (DDR) (WCK), в зависимости от рабочей частоты.
• Архитектура предварительной выборки 16n с 256 битами на массив
доступ для чтения или записи
• 16 внутренних банков
• 4 группы банков для tCCDL = 3tCK и 4tCK
• Программируемая задержка чтения.
• Программируемая задержка записи.
• Функция записи маски данных через шину CA с одно- и двухбайтовой детализацией маски.
• Инверсия шины данных (DBI) и инверсия шины CA.
(КАБИ)
• Вход/выход ФАПЧ
• Обучение шине CA: мониторинг входа CA через DQ/
Сигналы DBI_n/EDC
• Обучение тактового сигнала WCK2CK с использованием информации о фазе через сигналы EDC.
• Обучение чтению и записи данных через FIFO чтения (глубина = 6)
• Целостность передачи данных при чтении/записи обеспечивается циклическим избыточным кодом.
• Программируемая задержка чтения CRC
• Программируемая задержка записи CRC
• Программируемый шаблон удержания EDC для CDR
• Режим RDQS на выводах EDC
• Режимы пониженного энергопотребления
• Встроенный датчик температуры с возможностью считывания показаний.
• Опция автоматической предварительной зарядки для каждого пакетного доступа
• Режим автоматического обновления (32 мс, 16 тыс. циклов) с возможностью обновления для каждого банка или для каждого банка.
• Частота автоматического обновления, контролируемая датчиком температуры
• Цифровая блокировка tRAS
• Внутреннее согласование (ODT) для всех высокоскоростных входов.
• Выходы, совместимые с псевдооткрытым стоком (POD135 и POD125).
• Автоматическая калибровка ODT и мощности выходного драйвера
с внешним резистором ZQ (120 Ом)
• Внутренний VREF с DFE для ввода данных, с программируемыми характеристиками входного приемника для каждого контакта.
• Выбираемый внешний или внутренний VREF для входов CA; программируемые смещения VREF для внутреннего VREF
• Идентификатор поставщика для идентификации устройства.
• Пограничное сканирование, соответствующее стандарту IEEE 1149.1.
• Корпус BGA на 180 шариков
• Не содержит свинца (соответствует RoHS) и галогенов.
Тип упаковки
• TC = от 0°C до +95°C
Производитель: Микрон Технология
Тип продукта: ДРАМ
Ширина шины данных: 32 бита
Организация: 512 М х 32
Размер памяти: 16 Гбит
Напряжение питания — Макс.: 1,35 В
Минимальная рабочая температура: 0 C
Максимальная рабочая температура: + 95 С
Чувствительность к влаге: Да
Тип монтажа: СМД/СМТ
Тип упаковки/корпус: FBGA-150