Onsemi NCx57081 IGBT/MOSFET Gate Drivers are high-current single-channel IGBT/MOSFET gate drivers with 3.75kV_RMS internal galvanic isolation. These drivers accept complementary inputs and offer options such as active miller clamp, negative power supply, and separate high/low driver outputs for system design convenience. The NCx57081 drivers accommodate a wide range of input bias voltage and signal levels from 3.3V to 20V and are available in a narrow-body SOIC-8 package. Typical applications include motor control, Uninterruptible Power Supplies (UPS), automotive applications, industrial power supplies, solar inverters, and HVAC.
Функции
• Высокий пиковый выходной ток (+6,5 А/-6,5 А)
• Низкое падение напряжения фиксации устраняет необходимость в отрицательном источнике питания для предотвращения ложного включения затвора (версия A)
• Короткие задержки распространения с точным согласованием
• Фиксация затвора IGBT/MOSFET во время короткого замыкания
• Активное понижение затвора IGBT/MOSFET
• Жесткие пороговые значения UVLO для гибкости смещения
• Широкий диапазон напряжения смещения, включая отрицательный VEE2 (Версия B)
• Логический вход 3,3 В, 5 В и 15 В.
• 3,75 кВср.кв. VISO (I-O) (в соответствии с требованиями UL1577)
• Сертификаты безопасности и нормативные документы:
— Сертификат UL1577, 3750 VACRMS в течение 1 минуты.
— Ожидается сертификация DIN VDE V 0884-11, рабочее напряжение изоляции 870 ВПК
• Высокая временная невосприимчивость
• Высокая электромагнитная устойчивость
• Префикс NCV для автомобильной промышленности и других приложений, требующих уникальных требований к изменению места установки и управления; Соответствует AEC-Q100 и поддерживает PPAP
• Эти устройства не содержат свинца, галогенов и бромированных огнестойких добавок и соответствуют требованиям RoHS.
Производитель: Онсеми
Тип продукта: Драйверы для ворот
Количество каналов: 1
Напряжение — изоляция: 3750 В (среднеквадратичное значение)
Устойчивость к переходным процессам в синфазном режиме (мин): 100 кВ/мкс
Задержка распространения tpLH/tpHL (макс.): 90 нс, 90 нс
Искажение ширины импульса (макс.): 25 нс
Время нарастания/спада (типичное): 13 нс, 13 нс
Ток — выходной высокий, низкий: 6,5 А, 6,5 А
Ток — пиковый выход: 6,5 А
Напряжение — выходное напряжение: 0 В ~ 32 В
Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
Тип упаковки/корпус: 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Тип монтажа: СМД/СМТ