Onsemi NTH4L075N065SC1 Карбидокремниевый МОП-транзистор (SiC) представляет собой МОП-транзистор с сопротивлением 57 МОм и напряжением 650 В, размещенный в корпусе TO-247-4L. SiC MOSFET созданы для того, чтобы быть быстрыми и надежными. Устройства обеспечивают в 10 раз более высокую напряженность поля пробоя диэлектрика и в 2 раза более высокую скорость насыщения электронов. МОП-транзисторы также имеют в 3 раза большую энергетическую запрещенную зону и в 3 раза более высокую теплопроводность. Все полупроводниковые SiC MOSFET включают в себя варианты, соответствующие стандарту AEC-Q101 и поддерживающие PPAP, специально разработанные и сертифицированные для автомобильного и промышленного применения.
Функции
• Тип. RDS(вкл.) = 57 м @ VGS = 18 В
Тип. RDS(вкл.) = 75 м @ VGS = 15 В
• Сверхнизкий заряд затвора (QG(tot) = 61 нКл)
• Низкая выходная емкость (Coss = 107 пФ)
• 100 % лавинное тестирование.
• ТДж = 175°С
• Данное устройство не содержит галогенидов и соответствует требованиям RoHS с исключением 7a, Pb-Free 2LI (при межсоединении второго уровня).
Производитель: Онсеми
Тип продукта: МОП-транзистор
Серия: NTH4L075N065SC1
Полярность транзистора: N-канал
Количество каналов: 1 канал
Vds — напряжение пробоя сток-исток: 650 В
Id — непрерывный ток стока: 38 А
Rds On — сопротивление сток-исток: 85 мОм
Vgs — Напряжение затвор-исток: — 8 В, + 22 В
Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток: 4,3 В
Qg — заряд ворот: 61 нКл
Минимальная рабочая температура: — 55 С.
Максимальная рабочая температура: + 175 С
Pd — Рассеиваемая мощность: 148 Вт
Режим канала: Улучшение
Время спада: 7 нс
Прямая крутизна — мин: 9 с
Время нарастания: 12 нс
Тип транзистора: 1 N-канальный
Типичное время задержки выключения: 20 нс
Типичное время задержки включения: 10 нс
Технология: Карбид кремния
Тип монтажа: Сквозное отверстие
Тип упаковки/кейс: TO-247-4
Тип упаковки: Туба