Н-канальный МОП-транзистор Onsemi NTTFS012N10MD разработан с использованием усовершенствованного процесса PowerTrench^® , включающего технологию Shielded Gate. Этот процесс был оптимизирован для минимизации сопротивления во включенном состоянии R_DS(on) чтобы минимизировать потери проводимости и при этом сохранить превосходные характеристики переключения. . МОП-транзистор NTTFS012N10MD имеет низкую добротность_G и емкость для минимизации потерь в драйвере, низкую добротность_RR, диод с мягким восстановлением и низкий Q_OSS для улучшения эффективность при небольшой нагрузке. Типичные области применения включают первичные переключатели в изолированных преобразователях постоянного тока, адаптерах переменного и постоянного тока, синхронное выпрямление в постоянного и переменном токе, двигателях BLDC, переключателях нагрузки и солнечных инверторах.
Функции
• Технология MOSFET с экранированным затвором
• Низкий RDS(вкл.) для минимизации потерь проводимости.
• Низкое QG и емкость для минимизации потерь драйвера
• Низкий QRR, диод с мягким восстановлением
• Низкий QOSS для повышения эффективности при малой нагрузке
• Эти устройства не содержат свинца, галогенов, бромированных огнестойких добавок, бериллия и соответствуют требованиям RoHS.
Производитель: Онсеми
Тип продукта: МОП-транзистор
Напряжение сток-исток (Vdss): 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C: 9,2 А (Ta), 45 А (Tc)
Напряжение привода (макс. показания вкл., мин. вкл.): 6 В, 10 В
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: 14,4 мОм при 15 А, 10 В
Vgs(th) (Макс.) @ Id: 4 В @ 78 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs: 13 нК @ 10 В
Вгс (макс.): ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) при Vds: 965 пФ при 50 В
Рассеиваемая мощность (макс.): 2,7 Вт (Ta), 62 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (ТДж)
Тип установки: СМД/СМТ
Тип упаковки/кейс: WDFN-8 (3,3×3,3)