Перейти к содержимому
  • Не нашли нужные компоненты – отправьте Вашу спецификацию нам на email
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
0 ₽ 0 Cart
Главная
/
Каталог

/Электроника/Печатные платы и компоненты
/
PMCB60XNEZ

DSN1006-3
PMCB60XNEZ

PMCB60XNEZ

SKU : pmcb60xnez
Категории: Печатные платы и компоненты, Электроника
Nexperia

Детали

Производитель

Nexperia

Тип

Transistors

Под заказ

10 в наличии

Спецификация (Data Sheet)

Моп-транзисторы Nexperia Small-Signal (SSMOS) для портативных устройств предлагают пакеты WLCSP и безвыводные DFN для мобильных и портативных приложений. Пакеты Nexperia SSMOS представляют собой чрезвычайно компактное решение DFN с широко используемым сегодня шагом 0,35 мм. Эти сверхкомпактные комплекты представляют собой идеальное решение для замены там, где пространство имеет первостепенное значение. Они обеспечивают значительную экономию пространства и минимальные усилия по регулировке сборки. Доступны как с N-каналом, так и с P-каналом, все детали оснащены защитой от электростатического разряда >2 кВ и имеют высокую мощность >1300 мВт.

В комплект поставки малосигнальных МОП-транзисторов Nexperia входит сверхнизкопрофильный DFN0603, размеры которого составляют всего 0,63 x 0,33 x 0,25 мм. Этот корпус занимает на 13% меньше места, чем МОП-транзисторы в следующем по размеру корпусе, DFN0604. Кроме того, такое уменьшение размера было достигнуто без ущерба для производительности устройств, поскольку RDS(on)< этих устройств было уменьшено на 74 %, что помогает повысить эффективность и тем самым позволяет разработчикам носимого оборудования достичь еще большей удельной мощности.

Функции
• Низкое пороговое напряжение
• Очень быстрое переключение
• Сверхмалая Тип упаковки: 1,0 × 0,6 × 0,2 мм.
• Технология Trench MOSFET
• Защита от электростатического разряда (ESD) > 2 кВ HBM (класс H2)

Производитель: Нексперия
Тип продукта: МОП-транзистор
RoHS: Соответствует
Полярность транзистора: N-канал
Количество каналов: 1 канал
Vds — напряжение пробоя сток-исток: 30 В
Id — непрерывный ток стока: 4,3 А
Rds включен – сопротивление сток-исток: 55 мОм
Vgs — Напряжение затвор-исток: — 12 В, + 12 В
Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток: 1,1 В
Qg — заряд ворот: 5 нКл
Минимальная рабочая температура: — 55 С.
Максимальная рабочая температура: + 150 С
Pd — Рассеиваемая мощность: 1 Вт
Режим канала: Улучшение
Время спада: 74 нс
Прямая крутизна — мин.: 6,7 S
Время нарастания: 40 нс
Тип транзистора: 1 N-канальный
Типичное время задержки выключения: 107 нс
Типичное время задержки включения: 20 нс
Технология: Си
Тип монтажа: СМД/СМТ
Тип упаковки/кейс: DSN10063-3
Тип упаковки: лента и катушка

Обсудить "PMCB60XNEZ"

Наши специалисты свяжутся с вами в ближайшее время!

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с политикой конфиденциальности

Похожие товары

В каталог
KAF21KR72A473KL
Производитель:
KYOCERA AVX
Подробнее
KAF31NR72A104KU
Производитель:
KYOCERA AVX
Подробнее
KAM21BR72A223KM
Производитель:
KYOCERA AVX
Подробнее
KAF15AR71H153KT
Производитель:
KYOCERA AVX
Подробнее
KAM21BR71H104JM
Производитель:
KYOCERA AVX
Подробнее
KAM31BR72A103MT
Производитель:
KYOCERA AVX
Подробнее
KGF15AR71H103KT
Производитель:
KYOCERA AVX
Подробнее
KAM15AR71H183JT
Производитель:
KYOCERA AVX
Подробнее
Страницы
  • Главная
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
Ассортимент
  • Каталог
  • Корзина
  • Оформление
Документы
  • Обработка персональных данных
  • Принцип работы
  • Политика конфиденциальности
  • Реквизиты
Контакты
  • г. Москва, ул. Зацепа, д. 28, стр. 1, офис №2
  • procurement@esp.com.ru
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

Копирайт © 2025 SpaceChip, Все права защищены.