Перейти к содержимому
  • Не нашли нужные компоненты – отправьте Вашу спецификацию нам на email
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
0 ₽ 0 Cart
Главная
/
Каталог

/Транзисторы/Электроника/Печатные платы и компоненты
/
PSMN1R8-80SSFJ

Nexperia_SOT1235_LFPAK88-4_SPL
PSMN1R8-80SSFJ

PSMN1R8-80SSFJ

SKU : psmn1r8-80ssfj
Категории: Печатные платы и компоненты, Транзисторы, Электроника
Nexperia

Детали

Производитель

Nexperia

Тип

MOSFET

Под заказ

20 в наличии

Спецификация (Data Sheet)
PSMN1R8-80SSFJ
Производитель: Nexperia
Описание: MOSFET PSMN1R8-80SSF/SOT1235/LFPAK88
Жизненный цикл: Новый продукт: Новинка от этого производителя.
Нексперия
Категория продукта: МОП-транзистор
RoHS: Соответствует
Да
SMD/SMT
SOT-1235-4
N-канал
1 канал
80 В
270 А
2,5 мОм
— 20 В, + 20 В
4 В
148 нК
— 55 С
+175 С
341 Вт
Улучшение
Катушка
Разрезать ленту
Норма упаковки: 2000
Бренд: Нексперия
Конфигурация: Один
Время осени: 45 нс
Тип продукта: МОП-транзистор
Время нарастания: 33 нс
Подкатегория: МОП-транзисторы
Типичное время задержки включения: 40 нс
Типичное время задержки выключения: 90 нс
Псевдонимы № части: 934662271118

ФУНКЦИИ
• Низкий Qrr для повышения эффективности и снижения выбросов
• FOM с низким QG × RDS(on) для высокоэффективных коммутационных приложений.
• Высокий рейтинг лавинной энергии (Eas)
• портфель 100 В
• Лавиноустойчивость и 100 % тестирование.
• Тип упаковки LFPAK56, не содержащая галогена и соответствующая RoHS, Тип упаковки LFPAK88.
• Корпуса для пайки волной: LFPAK56 (SOT669), LFPAK56E (SOT1023) и LFPAK88 (SOT1235).
Производитель: Нексперия
Категория продукта: МОП-транзистор
RoHS: Соответствует
Технология: Си
Тип монтажа: СМД/СМТ
Тип упаковки/кейс: SOT-1235-4
Полярность транзистора: N-канал
Количество каналов: 1 канал
Vds — напряжение пробоя сток-исток: 80 В
Id — непрерывный ток стока: 270 А
Rds включен — сопротивление сток-исток: 2,5 мОм
Vgs — Напряжение затвор-исток: — 20 В, + 20 В
Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток: 4 В
Qg — Заряд ворот: 148 нКл
Минимальная рабочая температура: — 55 С.
Максимальная рабочая температура: + 175 С
Pd — Рассеиваемая мощность: 341 Вт
Режим канала: Улучшение
Тип упаковки: лента и катушка
Конфигурация: Одиночная
Время спада: 45 нс
Время нарастания: 33 нс
Типичное время задержки выключения: 90 нс
Типичное время задержки включения: 40 нс

Обсудить "PSMN1R8-80SSFJ"

Наши специалисты свяжутся с вами в ближайшее время!

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с политикой конфиденциальности

Похожие товары

В каталог
SQA602CEJW-T1_GE3
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
BSC009N04LSSCATMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
DTB523YMT2L
Производитель:
ROHM Semiconductor
Подробнее
DTB523YETL
Производитель:
ROHM Semiconductor
Подробнее
IMZA65R040M2HXKSA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
SISF20DN-GE3
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
SPW15N60C3FKSA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
SIZ348DT-T1-GE3
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
Страницы
  • Главная
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
Ассортимент
  • Каталог
  • Корзина
  • Оформление
Документы
  • Обработка персональных данных
  • Принцип работы
  • Политика конфиденциальности
  • Реквизиты
Контакты
  • г. Москва, ул. Зацепа, д. 28, стр. 1, офис №2
  • procurement@esp.com.ru
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

Копирайт © 2025 SpaceChip, Все права защищены.