Перейти к содержимому
  • Не нашли нужные компоненты – отправьте Вашу спецификацию нам на email
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
Menu
  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
0 ₽ 0 Cart
Главная / Транзисторы / МОП транзисторы / SI4228DY-T1-GE3

SI4228DY-T1-GE3

Категории: МОП транзисторы, Транзисторы
Vishay Semiconductors

Под заказ

Trans MOSFET N-CH 25V 8A 8-Pin SOIC N T/R

Производитель: Vishay Semiconductors

Спецификация (Data Sheet)

Технические характеристики

Наименование Значение
RoHS Соответствует
Статус Активный
Категория продукта Силовой МОП-транзистор
Конфигурация Dual / Dual Drain
Тип канала N
Количество элементов на микросхему 2
Максимальное напряжение стока-источника (В) 25
Максимальное напряжение источника затвора (В) ±12
Максимальное пороговое напряжение затвора (В) 1.4
Максимальный непрерывный ток стока (А) 8
Максимальный ток утечки источника затвора (nA) 100
Максимальный IDSS (uA) 1
Максимальное сопротивление источника стока (мом) 18 при 10 В
Типичный заряд затвора при Vgs (nC) 16,5 при 10 В | 7,8 при 4,5 В
Типичный заряд затвора при 10 В (nC) 16.5
Типичная входная емкость при Vds (пФ) 790 при 12.5V
Максимальная рассеиваемая мощность (МВт) 2000
Типичное время падения (нс) 10
Типичное время нарастания (нс) 12
Типичное время задержки выключения (нс) 21
Типичное время задержки включения (нс) 7
Минимальная рабочая температура (°C) -55
Максимальная рабочая температура (°C) 150
Упаковка Tape and Reel
Монтаж Поверхностный
Тип корпуса SOIC
Количество выводов 8
Форма выводов Изогнутая (gull-wing)

Обсудить "SI4228DY-T1-GE3"

Наши специалисты свяжутся с вами в ближайшее время!

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с политикой конфиденциальности

Похожие товары

В каталог
BSC007N04LS6SCATMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
ISC800P06LMATMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
BSC160N15NS5SCATMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
DTB523YMT2L
Производитель:
ROHM Semiconductor
Подробнее
RN4911,LXHF(CT
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробнее
QSZ2TR
Производитель:
ROHM Semiconductor
Подробнее
SPW15N60C3FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Производитель: Infineon Technologies AG

Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
SIZ348DT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R

Производитель: Vishay Semiconductors

Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
Страницы
  • Главная
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
Ассортимент
  • Каталог
  • Корзина
  • Оформление
Документы
  • Обработка персональных данных
  • Принцип работы
  • Политика конфиденциальности
  • Реквизиты
Контакты
  • г. Москва, ул. Зацепа, д. 28, стр. 1, офис №2
  • procurement@esp.com.ru
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

Копирайт © 2025 SpaceChip, Все права защищены.