Trans MOSFET N-CH 25V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Производитель: Vishay Semiconductors
Технические характеристики
Наименование | Значение |
RoHS | Соответствует |
Статус | Активный |
Категория продукта | Силовой МОП-транзистор |
Конфигурация | Dual / Dual Drain |
Тип канала | N |
Количество элементов на микросхему | 2 |
Максимальное напряжение стока-источника (В) | 25 |
Максимальное напряжение источника затвора (В) | ±12 |
Максимальное пороговое напряжение затвора (В) | 1.4 |
Максимальный непрерывный ток стока (А) | 8 |
Максимальный ток утечки источника затвора (nA) | 100 |
Максимальный IDSS (uA) | 1 |
Максимальное сопротивление источника стока (мом) | 18 при 10 В |
Типичный заряд затвора при Vgs (nC) | 16,5 при 10 В | 7,8 при 4,5 В |
Типичный заряд затвора при 10 В (nC) | 16.5 |
Типичная входная емкость при Vds (пФ) | 790 при 12.5V |
Максимальная рассеиваемая мощность (МВт) | 2000 |
Типичное время падения (нс) | 10 |
Типичное время нарастания (нс) | 12 |
Типичное время задержки выключения (нс) | 21 |
Типичное время задержки включения (нс) | 7 |
Минимальная рабочая температура (°C) | -55 |
Максимальная рабочая температура (°C) | 150 |
Упаковка | Tape and Reel |
Монтаж | Поверхностный |
Тип корпуса | SOIC |
Количество выводов | 8 |
Форма выводов | Изогнутая (gull-wing) |
Наши специалисты свяжутся с вами в ближайшее время!
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Производитель: Infineon Technologies AG
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
Производитель: Vishay Semiconductors