SIB4317EDK-T1-GE3
Детали
| Производитель | |
|---|---|
| Тип |
Под заказ
10 в наличии
Vishay/Siliconix TrenchFET® МОП-транзисторы оснащены P- и N-канальной кремниевой технологией, позволяющей этим устройствам обеспечивать превосходные — характеристики сопротивления 1,9 мОм в PowerPAK® SO-8. Эти МОП-транзисторы имеют сопротивление открытого состояния, составляющее половину уровня следующих лучших устройств на рынке. N-канальные МОП-транзисторы обеспечивают диапазон напряжения пробоя сток-исток от 40 В до 250 В, номинальную рассеиваемую мощность 375 Вт и мощность ThunderFET в зависимости от модели. МОП-транзисторы с P-каналом имеют до 2 каналов, монтаж на поверхностном монтаже и в сквозное отверстие, а также диапазон напряжения пробоя сток-исток от 12 В до 200 В.
ФУНКЦИИ
• Термически улучшенный пакет PowerPAK® SC-75.
— Небольшая площадь занимаемой площади
— Низкое сопротивление включения
— Тонкий профиль толщиной 0,75 мм.
• Типичная защита от электростатического разряда (MOSFET): 1500 В (HBM).
• 100 % Rg проверено
ПРИЛОЖЕНИЯ
• Портативные устройства, такие как смартфоны, планшетные ПК и мобильные компьютеры.
— Переключатель зарядного устройства аккумулятора.
— Бак-конвертер
— Управление питанием
— Переключатель нагрузки
Производитель: Vishay
Тип продукта: МОП-транзистор
RoHS: Соответствует
Количество каналов: 1 канал
Vds — напряжение пробоя сток-исток: 30 В
Id — непрерывный ток стока: 4,3 А
Rds включен – сопротивление сток-исток: 65 мОм
Vgs — Напряжение затвор-исток: — 12 В, + 12 В
Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток: 1,3 В
Qg — заряд затвора: 6,6 нКл
Минимальная рабочая температура: — 55 С.
Максимальная рабочая температура: + 150 С
Pd — Рассеиваемая мощность: 1,95 Вт
Режим канала: Улучшение
Конфигурация: Одиночная
Время спада: 7 нс, 10 нс
Время нарастания: 10 нс, 20 нс
Типичное время задержки выключения: 23 нс, 25 нс
Тип монтажа: СМД/СМТ
Тип упаковки/кейс: SC-75-6L
Тип упаковки: лента и катушка
Обсудить "SIB4317EDK-T1-GE3"
Наши специалисты свяжутся с вами в ближайшее время!
