Н-канальные МОП-транзисторы Vishay 60 В и 100 В (DS) созданы по технологии TrenchFET® Gen IV, имеют низкое сопротивление в открытом состоянии и чрезвычайно низкое тепловое сопротивление. Эти устройства также имеют очень низкий заряд затвора и выходной заряд, что снижает потери мощности и повышает эффективность. Компактный корпус PowerPAK® SO-8 размером 6,15 x 5,13 мм представляет собой компактную альтернативу традиционным решениям TO-220 и TO-263.
ФУНКЦИИ
• Силовой МОП-транзистор TrenchFET® Gen V
• Очень низкий показатель качества RDS x Qg (FOM)
• Обеспечивает более высокую плотность мощности с очень низким RDS(on) и компактным корпусом с повышенными термическими характеристиками.
• 100 % проверено на Rg и ​​UIS.

ПРИЛОЖЕНИЯ
• Преобразователь постоянного тока в постоянный
• ПОЛ
• Синхронное выпрямление
• Выключатель питания и нагрузки
• Управление аккумулятором
Производитель: Vishay Semiconductors
Тип продукта: МОП-транзистор
RoHS: Соответствует
Серия: SiDR500EP
Полярность транзистора: N-канал
Количество каналов: 1 канал
Vds — напряжение пробоя сток-исток: 30 В
Id — непрерывный ток стока: 421 А
Rds On — сопротивление сток-исток: 470 мкОм
Vgs — Напряжение затвор-исток: — 12 В, + 16 В
Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток: 2,2 В
Qg — заряд затвора: 54,3 нКл
Минимальная рабочая температура: — 55 С.
Максимальная рабочая температура: + 175 С
Pd — Рассеиваемая мощность: 150 Вт
Режим канала: Улучшение
Конфигурация: Одиночная
Время спада: 20 нс
Прямая крутизна — мин: 210 С
Время нарастания: 102 нс
Тип транзистора: 1 N-канальный
Типичное время задержки выключения: 50 нс
Типичное время задержки включения: 47 нс
Технология: Си
Тип монтажа: СМД/СМТ
Тип упаковки/кейс: PowerPAK SO-8
Тип упаковки: лента и катушка