Перейти к содержимому
  • Не нашли нужные компоненты – отправьте Вашу спецификацию нам на email
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
0 ₽ 0 Cart
Главная
/
Каталог

/Транзисторы/Электроника/Печатные платы и компоненты
/
IHW30N110R5XKSA1

IDW80C65D2XKSA1
IHW30N110R5XKSA1

IHW30N110R5XKSA1

SKU : ihw30n110r5xksa1
Категории: Печатные платы и компоненты, Транзисторы, Электроника
Infineon Technologies

Детали

Производитель

Infineon Technologies

Тип

IGBT Transistors

Под заказ

20 в наличии

Спецификация (Data Sheet)
IHW30N110R5XKSA1
Производитель: Infineon Technologies
Описание: IGBT-транзисторы
Жизненный цикл: Новый продукт: Новинка от этого производителя.
Инфинеон
Категория продукта: БТИЗ-транзисторы
RoHS: Соответствует
Да
Сквозное отверстие
Один
1,1 кВ
1,55 В
— 20 В, + 25 В
60 А
330 Вт
— 40 С
+175 С
IHW30N110
Трубка
Бренд: Инфинеон Технологии
Тип продукта: БТИЗ-транзисторы
Норма упаковки: 240
Подкатегория: БТИЗ
Псевдонимы № части: IHW30N110R5 SP005727472

Функции
• VCE = 1100 В
• IC = 30 А
• Мощный монолитный диод с низким прямым напряжением, предназначенный только для мягкой коммутации.
• Очень плотное распределение параметров
• Высокая прочность, стабильное температурное поведение.
• Очень низкий VCEsat
• Возможность простого параллельного переключения благодаря положительному температурному коэффициенту в VCEsat
• Низкий уровень электромагнитных помех
• Покрытие свинцом, не содержащим свинца; Соответствует RoHS
Производитель: Инфинеон
Категория продукта: IGBT-транзисторы
RoHS: Соответствует
Технология: Си
Тип монтажа: Сквозное отверстие
Конфигурация: Одиночная
Напряжение коллектор-эмиттер VCEO Макс.: 1,1 кВ
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1,55 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: — 20 В, + 25 В
Непрерывный ток коллектора при 25 C: 60 А
Pd — Рассеиваемая мощность: 330 Вт
Минимальная рабочая температура: — 40 С.
Максимальная рабочая температура: + 175 С
Серия: IHW30N110
Тип упаковки: Туба

Обсудить "IHW30N110R5XKSA1"

Наши специалисты свяжутся с вами в ближайшее время!

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с политикой конфиденциальности

Похожие товары

В каталог
SQA602CEJW-T1_GE3
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
BSC009N04LSSCATMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
IPDQ60R065S7XTMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
BSC160N15NS5SCATMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
RN4908,LXHF(CT
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробнее
UJ4SC075009B7S
Производитель:
UnitedSiC
Подробнее
IMZA65R040M2HXKSA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
AO4407A
Производитель:
Alpha and Omega Semiconductor
Подробнее
Страницы
  • Главная
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
Ассортимент
  • Каталог
  • Корзина
  • Оформление
Документы
  • Обработка персональных данных
  • Принцип работы
  • Политика конфиденциальности
  • Реквизиты
Контакты
  • г. Москва, ул. Зацепа, д. 28, стр. 1, офис №2
  • procurement@esp.com.ru
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

Копирайт © 2025 SpaceChip, Все права защищены.