Перейти к содержимому
  • Не нашли нужные компоненты – отправьте Вашу спецификацию нам на email
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
0 ₽ 0 Cart
Главная
/
Каталог

/Транзисторы/Электроника/Печатные платы и компоненты
/
IKQ50N120CH7XKSA1

3227598-40
IKQ50N120CH7XKSA1

IKQ50N120CH7XKSA1

SKU : ikq50n120ch7xksa1
Категории: Печатные платы и компоненты, Транзисторы, Электроника
Infineon Technologies

Детали

Производитель

Infineon Technologies

Тип

IGBT Transistors

Под заказ

20 в наличии

Спецификация (Data Sheet)
IKQ50N120CH7XKSA1
Производитель: Infineon Technologies
Описание: IGBT-транзисторы
Жизненный цикл: Новый продукт: Новинка от этого производителя.
Инфинеон
Категория продукта: БТИЗ-транзисторы
RoHS: Соответствует
TRENCHSTOP IGBT7 H7
Трубка
Бренд: Инфинеон Технологии
Тип продукта: БТИЗ-транзисторы
Норма упаковки: 240
Подкатегория: БТИЗ
Торговое название: ТРЕНЧСТОП
Псевдонимы № части: IKQ50N120CH7 SP005578278

Функции
• VCE = 1200 В
• IC = 50 А
• Максимальная температура перехода Tvjmax = 175°C.
• Лучший в своем классе быстродействующий IGBT, совмещенный с полным номинальным током, низким Qrr и быстродействующим диодом с мягкой коммутацией.
• Низкое напряжение насыщения VCEsat = 1,7 В при Tvj = 25°C.
• Оптимизирован для обеспечения высокой эффективности в высокоскоростных топологиях с жестким переключением (2-L инвертор, 3-L типа NPCT, …)
• Легкая возможность параллельного подключения благодаря положительному температурному коэффициенту в VCEsat
• Покрытие свинцом, не содержащим свинца; Соответствует RoHS
Производитель: Infineon Technologies
Серия: ТРЕНЧСТОП™
Пакет: Трубка
Статус продукта: Активный
Тип IGBT: Траншейный полевой стоп
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.): 1200 В
Ток-коллектор (Ic) (Макс): 71 А
Ток — импульсный коллектор (Icm): 200 А
Vce(on) (Макс.) @ Vge, Ic: 2,15 В @ 15 В, 50 А
Мощность — Макс: 398 Вт
Энергия переключения: 2,61 мДж (вкл.), 1,1 мДж (выкл.)
Тип ввода: Стандартный
Заряд ворот: 366 нКл
Td (вкл/выкл) при 25°C: 40 нс/323 нс
Время обратного восстановления (trr): 133 нс
Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (ТДж)
Тип монтажа: Сквозное отверстие
Тип упаковки/кейс: ТО-247-3

Обсудить "IKQ50N120CH7XKSA1"

Наши специалисты свяжутся с вами в ближайшее время!

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с политикой конфиденциальности

Похожие товары

В каталог
SQA602CEJW-T1_GE3
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
RN4908,LXHF(CT
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробнее
RN4989,LXHF(CT
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробнее
DTB523YETL
Производитель:
ROHM Semiconductor
Подробнее
RN4988,LXHF(CT
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробнее
IMZA65R040M2HXKSA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
SISF20DN-GE3
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
SIZ348DT-T1-GE3
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
Страницы
  • Главная
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
Ассортимент
  • Каталог
  • Корзина
  • Оформление
Документы
  • Обработка персональных данных
  • Принцип работы
  • Политика конфиденциальности
  • Реквизиты
Контакты
  • г. Москва, ул. Зацепа, д. 28, стр. 1, офис №2
  • procurement@esp.com.ru
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

Копирайт © 2025 SpaceChip, Все права защищены.