Функции
• Оптимизирован для широкого спектра применений.
• N-канал, нормальный уровень
• 100% проверено лавинами
• Покрытие без свинца; Соответствует RoHS.
• Не содержит галогенов согласно IEC61249-2-2.
Производитель: Infineon Technologies
Серия: StrongIRFET™2
Тип упаковки: лента и катушка/разрезанная лента
Статус продукта: Активный
Тип полевого транзистора: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение сток-исток (Vdss): 40 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C: 40 А (Ta), 232 А (Tc)
Напряжение привода (макс. показания вкл., мин. вкл.): 6 В, 10 В
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: 1,35 мОм при 100 А, 10 В
Vgs(th) (Макс.) @ Id: 3,4 В @ 126 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs: 159 нК @ 10 В
Вгс (макс.): ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) при Vds: 7500 пФ при 20 В
Рассеиваемая мощность (макс.): 3,8 Вт (Ta), 188 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (ТДж)
Тип монтажа: поверхностное крепление
Комплект поставки устройства поставщика: PG-TO263-7-U02
Тип упаковки/кейс: TO-263-7, D²Pak (6 выводов + вкладка)