Перейти к содержимому
  • Не нашли нужные компоненты – отправьте Вашу спецификацию нам на email
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
0 ₽ 0 Cart
Главная
/
Каталог

/Транзисторы/Электроника/Печатные платы и компоненты
/
IPDQ60R065S7XTMA1

3755142-40
IPDQ60R065S7XTMA1

IPDQ60R065S7XTMA1

SKU : ipdq60r065s7xtma1
Категории: Печатные платы и компоненты, Транзисторы, Электроника
Infineon Technologies

Детали

Производитель

Infineon Technologies

Тип

MOSFET

Под заказ

20 в наличии

Спецификация (Data Sheet)
IPDQ60R065S7XTMA1
Производитель: Infineon Technologies
Описание: МОП-транзистор
Жизненный цикл: Новый продукт: Новинка от этого производителя.
Инфинеон
Категория продукта: МОП-транзистор
RoHS: Соответствует
Да
SMD/SMT
HDSOP-22
N-канал
1 канал
600 В
9 А
65 мОм
— 20 В, + 20 В
3,5 В
51 нК
— 55 С
+ 150 С
195 Вт
Улучшение
IPDQ60R065S7
Катушка
Разрезать ленту
Норма упаковки: 750
Бренд: Инфинеон Технологии
Конфигурация: Один
Время осени: 9 нс
Тип продукта: МОП-транзистор
Время нарастания: 5 нс
Подкатегория: МОП-транзисторы
Типичное время задержки включения: 15 нс
Типичное время задержки выключения: 100 нс
Псевдонимы № части: IPDQ60R065S7 SP005559296

Функции
• Технология CoolMOS™S7 обеспечивает 65 мОм RDS (вкл.) при минимальном занимаемом месте.
• Оптимизированная цена в приложениях с низкочастотной коммутацией.
• Возможность высокого импульсного тока
• Вывод Kelvin Source улучшает характеристики переключения при высоком токе.
• QDPAK(PG-HDSOP-22-1) предлагает охлаждение со стороны остановки с улучшенной теплоизоляцией корпуса.

Производитель: Инфинеон
Категория продукта: МОП-транзистор
RoHS: Соответствует
Технология: Си
Тип монтажа: СМД/СМТ
Тип упаковки/кейс: HDSOP-22
Полярность транзистора: N-канал
Количество каналов: 1 канал
Vds — напряжение пробоя сток-исток: 600 В
Id — непрерывный ток стока: 9 А
Rds включен – сопротивление сток-исток: 65 мОм
Vgs — Напряжение затвор-исток: — 20 В, + 20 В
Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток: 3,5 В
Qg — заряд ворот: 51 нКл
Минимальная рабочая температура: — 55 С.
Максимальная рабочая температура: + 150 С
Pd — Рассеиваемая мощность: 195 Вт
Режим канала: Улучшение
Серия: IPDQ60R065S7
Тип упаковки: лента и катушка
Конфигурация: Одиночная
Время спада: 9 нс
Время нарастания: 5 нс
Типичное время задержки выключения: 100 нс
Типичное время задержки включения: 15 нс

Обсудить "IPDQ60R065S7XTMA1"

Наши специалисты свяжутся с вами в ближайшее время!

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с политикой конфиденциальности

Похожие товары

В каталог
BSC007N04LS6SCATMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
BSC009N04LSSCATMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
DTB543EETL
Производитель:
ROHM Semiconductor
Подробнее
RN4908,LXHF(CT
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробнее
RN4903,LXHF(CT
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробнее
IMZA65R040M2HXKSA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
DMP2200UDW-13
Производитель:
Diodes Incorporated
Подробнее
SIZ348DT-T1-GE3
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
Страницы
  • Главная
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
Ассортимент
  • Каталог
  • Корзина
  • Оформление
Документы
  • Обработка персональных данных
  • Принцип работы
  • Политика конфиденциальности
  • Реквизиты
Контакты
  • г. Москва, ул. Зацепа, д. 28, стр. 1, офис №2
  • procurement@esp.com.ru
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

Копирайт © 2025 SpaceChip, Все права защищены.