Функции
• Оптимизирован для широкого спектра применений.
• N-канал, нормальный уровень
• 100 % проверено лавинами.
•Покрытие без свинца;Соответствует RoHS
•Без галогенов согласно IEC61249-2-21.
Производитель: Infineon Technologies
Серия: StrongIRFET™ 2
Тип упаковки: лента и катушка/разрезанная лента
Статус продукта: Активный
Тип полевого транзистора: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение сток-исток (Vdss): 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C: 19 А (Ta), 117 А (Tc)
Напряжение привода (макс. показания вкл., мин. вкл.): 6 В, 10 В
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: 5,05 мОм при 60 А, 10 В
Vgs(th) (Макс.) @ Id: 3,8 В @ 84 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs: 76 нК @ 10 В
Вгс (макс.): ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) при Vds: 3600 пФ при 50 В
Рассеиваемая мощность (макс.): 3,8 Вт (Ta), 150 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (ТДж)
Тип монтажа: поверхностное крепление
Тип упаковки/кейс: TO-263-7, D²Pak (6 выводов + вкладка)