Перейти к содержимому
  • Не нашли нужные компоненты – отправьте Вашу спецификацию нам на email
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
0 ₽ 0 Cart
Главная
/
Каталог

/Транзисторы/Электроника/Печатные платы и компоненты
/
IQE050N08NM5CGSCATMA1

PG-WHTFN-9_DSL
IQE050N08NM5CGSCATMA1

IQE050N08NM5CGSCATMA1

SKU : iqe050n08nm5cgscatma1
Категории: Печатные платы и компоненты, Транзисторы, Электроника
Infineon Technologies

Детали

Производитель

Infineon Technologies

Тип

MOSFET

Под заказ

20 в наличии

Спецификация (Data Sheet)
IQE050N08NM5CGSCATMA1
Производитель: Infineon Technologies
Описание: МОП-транзистор
Жизненный цикл: Новый продукт: Новинка от этого производителя.
Инфинеон
Категория продукта: МОП-транзистор
Да
SMD/SMT
PG-WHTFN-9
N-канал
1 канал
80 В
16 А
5 мОм
— 20 В, + 20 В
3,8 В
44 нК
— 55 С
+175 С
2,5 Вт
Улучшение
Катушка
Разрезать ленту
Бренд: Инфинеон Технологии
Время осени: 4 нс
Прямая крутизна – мин: 50 сингапурских долларов
Тип продукта: МОП-транзистор
Время нарастания: 4,6 нс
Норма упаковки: 6000
Подкатегория: МОП-транзисторы
Тип транзистора: 1 N-канал
Типичное время задержки выключения: 16,1 нс
Типичное время задержки включения: 9,4 нс
Псевдонимы № части: IQE050N08NM5CGSC SP005559076

Функции
•Оптимизирован для синхронного исправления.
•N-канал, нормальный уровень
•Verylowon-резистентностьRDS(вкл.)
• Превосходная термостойкость
• 100 % проверено лавинами.
•Покрытие без свинца;Соответствует RoHS
•Без галогенов согласно IEC61249-2-21.
Производитель: Инфинеон
Категория продукта: МОП-транзистор
Технология: Си
Тип монтажа: СМД/СМТ
Тип упаковки/кейс: PG-WHTFN-9
Полярность транзистора: N-канал
Количество каналов: 1 канал
Vds — напряжение пробоя сток-исток: 80 В
Id — непрерывный ток стока: 16 А
Rds включен — сопротивление сток-исток: 5 мОм
Vgs — Напряжение затвор-исток: — 20 В, + 20 В
Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток: 3,8 В
Qg — Заряд ворот: 44 нКл
Минимальная рабочая температура: — 55 С.
Максимальная рабочая температура: + 175 С
Pd — Рассеиваемая мощность: 2,5 Вт
Режим канала: Улучшение
Тип упаковки: Катушка
Тип упаковки: Разрезанная лента
Время спада: 4 нс
Прямая крутизна — мин: 50 с
Время нарастания: 4,6 нс
Тип транзистора: 1 N-канальный
Типичное время задержки выключения: 16,1 нс
Типичное время задержки включения: 9,4 нс

Обсудить "IQE050N08NM5CGSCATMA1"

Наши специалисты свяжутся с вами в ближайшее время!

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с политикой конфиденциальности

Похожие товары

В каталог
ISC800P06LMATMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
UJ4C075044B7S
Производитель:
UnitedSiC
Подробнее
UJ4SC075009B7S
Производитель:
UnitedSiC
Подробнее
RN4989,LXHF(CT
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробнее
DTC643TKT146
Производитель:
ROHM Semiconductor
Подробнее
RN4988,LXHF(CT
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробнее
AO4407A
Производитель:
Alpha and Omega Semiconductor
Подробнее
SPW15N60C3FKSA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
Страницы
  • Главная
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
Ассортимент
  • Каталог
  • Корзина
  • Оформление
Документы
  • Обработка персональных данных
  • Принцип работы
  • Политика конфиденциальности
  • Реквизиты
Контакты
  • г. Москва, ул. Зацепа, д. 28, стр. 1, офис №2
  • procurement@esp.com.ru
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

Копирайт © 2025 SpaceChip, Все права защищены.