Перейти к содержимому
  • Не нашли нужные компоненты – отправьте Вашу спецификацию нам на email
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
0 ₽ 0 Cart
Главная
/
Каталог

/Транзисторы/Электроника/Печатные платы и компоненты
/
IRFR9220PBF-BE3

R5409698-01
IRFR9220PBF-BE3

IRFR9220PBF-BE3

SKU : irfr9220pbf-be3
Категории: Печатные платы и компоненты, Транзисторы, Электроника
Vishay Semiconductors

Детали

Производитель

Vishay Semiconductors

Тип

MOSFET

Под заказ

20 в наличии

Спецификация (Data Sheet)
IRFR9220PBF-BE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Описание: МОП-транзистор P-CHANNEL 200 В
Жизненный цикл: Новый продукт: Новинка от этого производителя.
Vishay
Категория продукта: МОП-транзистор
RoHS: Соответствует
Да
SMD/SMT
ТО-252-3
P-канал
1 канал
200 В
3,6 А
1,5 Ом
— 20 В, + 20 В
4 В
20 нК
— 55 С
+ 150 С
42 Вт
Улучшение
Массовое
Бренд: Vishay Полупроводники
Время осени: 19 нс
Прямая крутизна – мин: 1,1 С
Тип продукта: МОП-транзистор
Время нарастания: 27 нс
Норма упаковки: 3000
Подкатегория: МОП-транзисторы
Тип транзистора: 1 P-канал
Типичное время задержки выключения: 7,3 нс
Типичное время задержки включения: 8,8 нс

ФУНКЦИИ
• Динамический рейтинг dV/dt
• Рейтинг повторяющихся лавин
• Для поверхностного монтажа (IRFR9220, SiHFR9220)
• Прямой провод (IRFUFU9220, SiHFU9220)
• Доступен на ленте и в катушках.
• P-канал
• Быстрое переключение
Производитель: Vishay
Категория продукта: МОП-транзистор
RoHS: Соответствует
Технология: Си
Тип монтажа: СМД/СМТ
Тип упаковки/кейс: ТО-252-3
Полярность транзистора: P-канал
Количество каналов: 1 канал
Vds — напряжение пробоя сток-исток: 200 В
Id — непрерывный ток стока: 3,6 А
Rds включен — сопротивление сток-исток: 1,5 Ом
Vgs — Напряжение затвор-исток: — 20 В, + 20 В
Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток: 4 В
Qg — заряд ворот: 20 нКл
Минимальная рабочая температура: — 55 С.
Максимальная рабочая температура: + 150 С
Pd — Рассеиваемая мощность: 42 Вт
Режим канала: Улучшение
Тип упаковки: Массовая
Время спада: 19 нс
Прямая крутизна — мин.: 1,1 S
Время нарастания: 27 нс
Тип транзистора: 1 P-канал
Типичное время задержки выключения: 7,3 нс
Типичное время задержки включения: 8,8 нс

Обсудить "IRFR9220PBF-BE3"

Наши специалисты свяжутся с вами в ближайшее время!

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с политикой конфиденциальности

Похожие товары

В каталог
BSC093N15NS5SCATMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
UJ4C075044B7S
Производитель:
UnitedSiC
Подробнее
DTC643TKT146
Производитель:
ROHM Semiconductor
Подробнее
RN4988,LXHF(CT
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробнее
SISHA18ADN-T1-GE3
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
IRF840HPBF
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
SISF20DN-GE3
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
AO4407A
Производитель:
Alpha and Omega Semiconductor
Подробнее
Страницы
  • Главная
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
Ассортимент
  • Каталог
  • Корзина
  • Оформление
Документы
  • Обработка персональных данных
  • Принцип работы
  • Политика конфиденциальности
  • Реквизиты
Контакты
  • г. Москва, ул. Зацепа, д. 28, стр. 1, офис №2
  • procurement@esp.com.ru
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

Копирайт © 2025 SpaceChip, Все права защищены.