Предназначен для широкополосного коммерческого и промышленного применения с частотами до 1000 МГц. Высокий коэффициент усиления и широкополосные характеристики этого устройства делают его идеальным для применения в усилителях с общим источником большого сигнала в оборудовании базовых станций с напряжением 28 В.
Функции
• Характеризуется последовательными параметрами импеданса, эквивалентными большому сигналу.
• Встроенная защита от электростатического разряда
• Пластиковый корпус, выдерживающий температуру 225°C
• Соответствует RoHS
• В ленте и на катушке. Суффикс R1 = 500 единиц на катушку диаметром 24 мм и 13 дюймов.
Производитель: NXP Semiconductors
Тип продукта: МОП-транзистор-РФ
RoHS: Соответствует
Серия: MRFE6S9060NR1
Полярность транзистора: N-канал
Технология: Си
Vds — напряжение пробоя сток-исток: 66 В
Рабочая частота: 1 ГГц
Усиление: 21,1 дБ
Минимальная рабочая температура: — 65 С.
Максимальная рабочая температура: + 150 С
Режим канала: Улучшение
Конфигурация: Одиночная
Чувствительность к влаге: Да
Vgs — напряжение затвор-исток: — 0,5 В, 12 В
Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток: 2,2 В
Тип монтажа: СМД/СМТ
Тип упаковки/кейс: TO-270
Тип упаковки: лента и катушка
Высота: 2,08 мм
Длина: 9,7 мм
Ширина: 6,15 мм