Перейти к содержимому
  • Не нашли нужные компоненты – отправьте Вашу спецификацию нам на email
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
0 ₽ 0 Cart
Главная
/
Каталог

/Транзисторы/Электроника/Печатные платы и компоненты
/
NTBG014N120M3P

MFG_D2PAK-7
NTBG014N120M3P

NTBG014N120M3P

SKU : ntbg014n120m3p
Категории: Печатные платы и компоненты, Транзисторы, Электроника
Onsemi

Детали

Производитель

Onsemi

Тип

MOSFET

Под заказ

20 в наличии

Спецификация (Data Sheet)
NTBG014N120M3P
Производитель: onsemi
Описание: МОП-транзистор из карбида кремния (SiC) MOSFET — EliteSiC, 14 МОм, 1200 В, M3P, D2PAK-7L
Жизненный цикл: Новый продукт: Новинка от этого производителя.
онсеми
Категория продукта: МОП-транзистор
RoHS: Соответствует
SiC
SMD/SMT
Д2ПАК-7Л
N-канал
1 канал
1,2 кВ
104 А
20 мОм
— 10 В, + 22 В
4,63 В
337 нК
— 55 С
+175 С
454 Вт
Улучшение
NTBG014N120M3P
Катушка
Разрезать ленту
Бренд: онсеми
Конфигурация: Один
Время осени: 14 нс
Прямая крутизна – мин: 29 с.
Тип продукта: МОП-транзистор
Время нарастания: 40 нс
Норма упаковки: 800
Подкатегория: МОП-транзисторы
Типичное время задержки выключения: 74 нс
Типичное время задержки включения: 24 нс

Функции
• Тип. РДС(вкл.) = 14 м
• Низкие потери переключения (тип. EON 1331 J при 74 А, 800 В)
• 100 % лавинное тестирование.
Производитель: Онсеми
Категория продукта: МОП-транзистор
RoHS: Соответствует
Технология: Карбид кремния
Тип монтажа: СМД/СМТ
Тип упаковки/кейс: D2PAK-7L
Полярность транзистора: N-канал
Количество каналов: 1 канал
Vds — напряжение пробоя сток-исток: 1,2 кВ
Id — непрерывный ток стока: 104 А
Rds включен – сопротивление сток-исток: 20 мОм
Vgs — Напряжение затвор-исток: — 10 В, + 22 В
Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток: 4,63 В
Qg — Заряд ворот: 337 нКл
Минимальная рабочая температура: — 55 С.
Максимальная рабочая температура: + 175 С
Pd — Рассеиваемая мощность: 454 Вт
Режим канала: Улучшение
Серия: NTBG014N120M3P
Тип упаковки: Катушка
Тип упаковки: Разрезанная лента
Конфигурация: Одиночная
Время спада: 14 нс
Прямая крутизна — мин: 29 с
Время нарастания: 40 нс
Типичное время задержки выключения: 74 нс
Типичное время задержки включения: 24 нс

Обсудить "NTBG014N120M3P"

Наши специалисты свяжутся с вами в ближайшее время!

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с политикой конфиденциальности

Похожие товары

В каталог
BSC093N15NS5SCATMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
DTB543EETL
Производитель:
ROHM Semiconductor
Подробнее
UJ4SC075009B7S
Производитель:
UnitedSiC
Подробнее
DTC623TKT146
Производитель:
ROHM Semiconductor
Подробнее
RN4988,LXHF(CT
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробнее
SISHA18ADN-T1-GE3
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
AO4407A
Производитель:
Alpha and Omega Semiconductor
Подробнее
SIZ348DT-T1-GE3
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
Страницы
  • Главная
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
Ассортимент
  • Каталог
  • Корзина
  • Оформление
Документы
  • Обработка персональных данных
  • Принцип работы
  • Политика конфиденциальности
  • Реквизиты
Контакты
  • г. Москва, ул. Зацепа, д. 28, стр. 1, офис №2
  • procurement@esp.com.ru
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

Копирайт © 2025 SpaceChip, Все права защищены.