Устройство представляет собой N-канальный силовой МОП-транзистор с боковым полевым эффектом и общим источником питания. Он предназначен для коммерческого и промышленного применения с высоким коэффициентом усиления и широкополосной связью. Работает при напряжении 28 В в режиме общего источника на частотах до 1 ГГц. Устройство может похвастаться превосходным усилением, линейностью и надежностью новейшей технологии LDMOS от ST, установленной в первом пластиковом ВЧ блоке питания SMD PowerSO-10RF. Превосходные характеристики линейности устройства делают его идеальным решением для приложений базовых станций. Пластиковый корпус PowerSO-10, обеспечивающий высокую надежность, является первым одобренным ST JEDEC корпусом SMD высокой мощности. Он был специально оптимизирован для радиочастотных нужд и предлагает отличные радиочастотные характеристики и простоту сборки.
Функции
• Отличная термическая стабильность
• Общая конфигурация источника
• POUT = 60 Вт с усилением 14,3 дБ при 945 МГц/28 В
• Новая пластиковая Тип упаковки RF.
Производитель: STMicroelectronics
Тип продукта: МОП-транзистор-РФ
Тип транзистора: LDMOS FET
RoHS: Соответствует
Серия: PD57060S-E
Полярность транзистора: N-канал
Технология: Си
Id — непрерывный ток стока: 7 А
Vds — напряжение пробоя сток-исток: 65 В
Рабочая частота: 1 ГГц
Усиление: 14,3 дБ
Выходная мощность: 60 Вт
Минимальная рабочая температура: — 65 С.
Максимальная рабочая температура: + 150 С
Режим канала: Улучшение
Конфигурация: Одиночная
Чувствительность к влаге: Да
Pd — Рассеиваемая мощность: 79 Вт
Vgs — напряжение затвор-исток: 20 В
Тип монтажа: СМД/СМТ
Тип упаковки/кейс: PowerSO-10RF-Formed-4
Тип упаковки: Туба
Высота: 3,5 мм
Длина: 7,5 мм
Ширина: 9,4 мм
Вес единицы: 3 г