Силовые высокочастотные LDMOS-транзисторы STMicroelectronics RFxL отличаются высокой производительностью и предназначены для различных применений в разных диапазонах частот. Силовые ВЧ-транзисторы RFxL доступны в корпусах B4E, B2 и LBB.

RF5L08350CB4 — это высокопроизводительный полевой МОП-транзистор LDMOS с внутренним согласованием мощностью 400 Вт, напряжением 50 В, предназначенный для различных приложений в диапазоне частот от 0,4 до 1 ГГц.

RF3L05250CB4 — это полевой МОП-транзистор LDMOS мощностью 250 Вт, 28/32 В, предназначенный для широкополосной связи и приложений ISM с частотами от ВЧ до 1 ГГц. Разъем RF3L05250CB4 используется в классах AB/B и C для всех типичных форматов модуляции.

RF2L16180CB4 — это LDMOS-транзистор с внутренним согласованием мощностью 180 Вт и напряжением 28 В, предназначенный для базовых станций WCDMA/PCS/DCS/LTE с несколькими несущими и приложений ISM с частотами от 1300 до 1600 МГц. Четыре провода могут быть сконфигурированы как несимметричные, двухтактные на 180 градусов, гибридные на 90 градусов или как Доэрти с соответствующей внешней согласующей сетью.

RF2L36075CF2 — это LDMOS-транзистор с внутренним согласованием мощностью 75 Вт, предназначенный для базовых станций WCDMA/PCS/DCS/LTE с несколькими несущими и радиолокационных приложений S-диапазона в диапазоне частот от 3,1 до 3,6 ГГц. RF2L36075CF2 можно использовать в классе AB, B или C для всех типичных форматов модуляции базовой станции сотовой связи.