• Выходная мощность: PO = 1,2 Вт (тип.)

• Усиление: GP = 10,8 дБ (тип.)

• Эффективность дренажа: ηD = 65 % (тип.)

Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Тип продукта: МОП-транзистор-РФ
RoHS: Соответствует
Серия: RFM01
Полярность транзистора: N-канал
Технология: Си
Id — непрерывный ток стока: 1 А
Vds — напряжение пробоя сток-исток: 20 В
Рабочая частота: 520 МГц
Усиление: 10,8 дБ
Выходная мощность: 1,2 Вт
Конфигурация: Одиночная
Pd — Рассеиваемая мощность: 3 Вт
Vgs — напряжение затвор-исток: 10 В
Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток: 1,1 В
Тип монтажа: СМД/СМТ
Тип упаковки/кейс: PW-Mini-3
Тип упаковки: лента и катушка