SIHB080N60E-GE3
Детали
| Производитель | |
|---|---|
| Тип |
Под заказ
20 в наличии
| Vishay | ||
| Категория продукта: | МОП-транзистор | |
| RoHS: | Соответствует | |
| Да | ||
| SMD/SMT | ||
| TO-263-3 | ||
| N-канал | ||
| 1 канал | ||
| 600 В | ||
| 35 А | ||
| 80 мОм | ||
| — 30 В, + 30 В | ||
| 5 В | ||
| 63 нК | ||
| — 55 С | ||
| + 150 С | ||
| 227 Вт | ||
| Улучшение | ||
| Трубка | ||
| Бренд: | Vishay Полупроводники | |
| Время осени: | 31 нс | |
| Прямая крутизна – мин: | 4,6 с | |
| Тип продукта: | МОП-транзистор | |
| Время нарастания: | 96 нс | |
| Норма упаковки: | 1000 | |
| Подкатегория: | МОП-транзисторы | |
| Типичное время задержки выключения: | 37 нс | |
| Типичное время задержки включения: | 31 нс |
ФУНКЦИИ
• Технология серии E 4-го поколения
• Низкая добротность (FOM) Ron x Qg
• Низкая эффективная емкость (Co(er))
• Снижение потерь на переключение и проводимость.
• Рейтинг лавинной энергии (UIS)
Производитель: Vishay
Категория продукта: МОП-транзистор
RoHS: Соответствует
Технология: Си
Тип монтажа: СМД/СМТ
Тип упаковки/кейс: ТО-263-3
Полярность транзистора: N-канал
Количество каналов: 1 канал
Vds — напряжение пробоя сток-исток: 600 В
Id — непрерывный ток стока: 35 А
Rds включен — сопротивление сток-исток: 80 мОм
Vgs — Напряжение затвор-исток: — 30 В, + 30 В
Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток: 5 В
Qg — Заряд ворот: 63 нКл
Минимальная рабочая температура: — 55 С.
Максимальная рабочая температура: + 150 С
Pd — Рассеиваемая мощность: 227 Вт
Режим канала: Улучшение
Тип упаковки: Туба
Время спада: 31 нс
Прямая крутизна — мин.: 4,6 S
Время нарастания: 96 нс
Типичное время задержки выключения: 37 нс
Типичное время задержки включения: 31 нс
Обсудить "SIHB080N60E-GE3"
Наши специалисты свяжутся с вами в ближайшее время!
