Перейти к содержимому
  • Не нашли нужные компоненты – отправьте Вашу спецификацию нам на email
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
0 ₽ 0 Cart
Главная
/
Каталог

/Транзисторы/Электроника/Печатные платы и компоненты
/
DTC114TE3HZGTL

Rohm-EMT3_f108304e-f2ca-4757-a292-85b7f9c7935f
DTC114TE3HZGTL

DTC114TE3HZGTL

SKU : dtc114te3hzgtl
Категории: Печатные платы и компоненты, Транзисторы, Электроника
ROHM Semiconductor

Детали

Производитель

ROHM Semiconductor

Тип

BJTs — Bipolar Transistors — Pre-Biased

Под заказ

20 в наличии

Спецификация (Data Sheet)
DTC114TE3HZGTL
Производитель: ROHM Semiconductor
Описание: Биполярные транзисторы — NPN с предварительным смещением, SOT-416, цифровой транзистор R1 одиночного типа (встроенный транзистор с резистором смещения)
Жизненный цикл: Новый продукт: Новинка от этого производителя.
РОМ Полупроводник
Категория продукта: Биполярные транзисторы с предварительным смещением
RoHS: Соответствует
Катушка
Разрезать ленту
Норма упаковки: 3000
Бренд: РОМ Полупроводник
Тип продукта: Биполярные транзисторы — биполярные транзисторы — с предварительным смещением
Подкатегория: Транзисторы
Псевдонимы № части: DTC114TE3HZG

Функции
• Встроенные резисторы смещения, R1 = 10 кОм.
• Встроенные резисторы смещения позволяют конфигурировать схему инвертора без подключения внешних входных резисторов.
• Для работы необходимо установить только условия включения/выключения, что упрощает проектирование схемы.
• Дополнительные типы PNP: DTA114TE3 HZG.
Производитель: Rohm Semiconductor
Серия: Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Тип упаковки: лента и катушка/разрезанная лента
Статус продукта: Активный
Тип транзистора: NPN — с предварительным смещением
Ток-коллектор (Ic) (Макс): 100 мА
Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.): 50 В
Резистор — База (R1): 10 кОм
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) при Ic, Vce: 100 при 1 мА, 5 В
Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic: 300 мВ при 1 мА, 10 мА
Ток — отсечка коллектора (макс.): 500 нА (ICBO)
Частота — Переход: 250 МГц
Мощность — Макс: 150 мВт
Тип монтажа: поверхностное крепление
Тип упаковки/кейс: SC-75, SOT-416

Обсудить "DTC114TE3HZGTL"

Наши специалисты свяжутся с вами в ближайшее время!

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с политикой конфиденциальности

Похожие товары

В каталог
SQA602CEJW-T1_GE3
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
DTB523YMT2L
Производитель:
ROHM Semiconductor
Подробнее
DTB543EETL
Производитель:
ROHM Semiconductor
Подробнее
RN4911,LXHF(CT
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробнее
UJ4C075044B7S
Производитель:
UnitedSiC
Подробнее
RN4903,LXHF(CT
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробнее
DTB523YETL
Производитель:
ROHM Semiconductor
Подробнее
IRF840HPBF
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
Страницы
  • Главная
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
Ассортимент
  • Каталог
  • Корзина
  • Оформление
Документы
  • Обработка персональных данных
  • Принцип работы
  • Политика конфиденциальности
  • Реквизиты
Контакты
  • г. Москва, ул. Зацепа, д. 28, стр. 1, офис №2
  • procurement@esp.com.ru
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

Копирайт © 2025 SpaceChip, Все права защищены.