Перейти к содержимому
  • Не нашли нужные компоненты – отправьте Вашу спецификацию нам на email
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
0 ₽ 0 Cart
Главная
/
Каталог

/Транзисторы/Электроника/Печатные платы и компоненты
/
IPTG063N15NM5ATMA1

MFG_IPTG039N15NM5ATMA1
IPTG063N15NM5ATMA1

IPTG063N15NM5ATMA1

SKU : iptg063n15nm5atma1
Категории: Печатные платы и компоненты, Транзисторы, Электроника
Infineon Technologies

Детали

Производитель

Infineon Technologies

Тип

MOSFET

Под заказ

20 в наличии

Спецификация (Data Sheet)
IPTG063N15NM5ATMA1
Производитель: Infineon Technologies
Описание: МОП-транзистор
Жизненный цикл: Новый продукт: Новинка от этого производителя.
Инфинеон
Категория продукта: МОП-транзистор
RoHS: Соответствует
Да
SMD/SMT
HSOG-8
N-канал
1 канал
150 В
122 А
6,3 мОм
— 20 В, + 20 В
3 В
50 нК
— 55 С
+175 С
214 Вт
Улучшение
IPTG063N15
Катушка
Разрезать ленту
Норма упаковки: 1800
Бренд: Инфинеон Технологии
Конфигурация: Один
Время осени: 5 нс
Прямая крутизна – мин: 88 с
Тип продукта: МОП-транзистор
Время нарастания: 4 нс
Подкатегория: МОП-транзисторы
Типичное время задержки включения: 15 нс
Типичное время задержки выключения: 20 нс
Псевдонимы № части: IPTG063N15NM5 SP005676956

Функции
•N-канал, нормальный уровень
•Verylowon-резистентностьRDS(вкл.)
• Превосходная термостойкость
• 100 % проверено лавинами.
•Покрытие без свинца;Соответствует RoHS
•Без галогенов согласно IEC61249-2-21.
Производитель: Инфинеон
Категория продукта: МОП-транзистор
RoHS: Соответствует
Технология: Си
Тип монтажа: СМД/СМТ
Тип упаковки/кейс: HSOG-8
Полярность транзистора: N-канал
Количество каналов: 1 канал
Vds — напряжение пробоя сток-исток: 150 В
Id — непрерывный ток стока: 122 А
Rds включен — сопротивление сток-исток: 6,3 мОм
Vgs — Напряжение затвор-исток: — 20 В, + 20 В
Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток: 3 В
Qg — заряд ворот: 50 нКл
Минимальная рабочая температура: — 55 С.
Максимальная рабочая температура: + 175 С
Pd — Рассеиваемая мощность: 214 Вт
Режим канала: Улучшение
Серия: ИПТГ063Н15
Тип упаковки: Катушка
Тип упаковки: Разрезанная лента
Конфигурация: Одиночная
Время спада: 5 нс
Прямая крутизна — мин.: 88 С
Время нарастания: 4 нс
Типичное время задержки выключения: 20 нс
Типичное время задержки включения: 15 нс

Обсудить "IPTG063N15NM5ATMA1"

Наши специалисты свяжутся с вами в ближайшее время!

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с политикой конфиденциальности

Похожие товары

В каталог
SQA602CEJW-T1_GE3
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
DTB543EETL
Производитель:
ROHM Semiconductor
Подробнее
RN4989,LXHF(CT
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробнее
DTB523YETL
Производитель:
ROHM Semiconductor
Подробнее
RN4988,LXHF(CT
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробнее
IRF840HPBF
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
SISF20DN-GE3
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
SIZ348DT-T1-GE3
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
Страницы
  • Главная
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
Ассортимент
  • Каталог
  • Корзина
  • Оформление
Документы
  • Обработка персональных данных
  • Принцип работы
  • Политика конфиденциальности
  • Реквизиты
Контакты
  • г. Москва, ул. Зацепа, д. 28, стр. 1, офис №2
  • procurement@esp.com.ru
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

Копирайт © 2025 SpaceChip, Все права защищены.