Перейти к содержимому
  • Не нашли нужные компоненты – отправьте Вашу спецификацию нам на email
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
0 ₽ 0 Cart
Главная
/
Каталог

/Транзисторы/Электроника/Печатные платы и компоненты
/
IQE006NE2LM5CGSCATMA1

PG-WHTFN-9_DSL_47bdb4a9-8ddd-4f87-849b-42b9dd4a0782
IQE006NE2LM5CGSCATMA1

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

SKU : iqe006ne2lm5cgscatma1
Категории: Печатные платы и компоненты, Транзисторы, Электроника
Infineon Technologies

Детали

Производитель

Infineon Technologies

Тип

MOSFET

Под заказ

20 в наличии

Спецификация (Data Sheet)
IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Производитель: Infineon Technologies
Описание: МОП-транзистор
Жизненный цикл: Новый продукт: Новинка от этого производителя.
Инфинеон
Категория продукта: МОП-транзистор
Да
SMD/SMT
PG-WHTFN-9
N-канал
1 канал
25 В
47 А
580 мкОм
— 16 В, + 16 В
2 В
82 нК
— 55 С
+ 150 С
2,1 Вт
Улучшение
Катушка
Разрезать ленту
Норма упаковки: 6000
Бренд: Инфинеон Технологии
Время осени: 5,3 нс
Прямая крутизна – мин: 260 С
Тип продукта: МОП-транзистор
Время нарастания: 2,6 нс
Тип транзистора: 1 N-канал
Подкатегория: МОП-транзисторы
Типичное время задержки включения: 5,3 нс
Типичное время задержки выключения: 27 нс
Псевдонимы № части: IQE006NE2LM5CGSC SP005419125

Функции
•Verylowon-резистентностьRDS(вкл.)
• 100 % проверено лавинами.
• Превосходная термостойкость
•N-канал, логический уровень
•Покрытие без свинца;Соответствует RoHS
•Без галогенов согласно IEC61249-2-21.
Производитель: Инфинеон
Категория продукта: МОП-транзистор
Технология: Си
Тип монтажа: СМД/СМТ
Тип упаковки/кейс: PG-WHTFN-9
Полярность транзистора: N-канал
Количество каналов: 1 канал
Vds — напряжение пробоя сток-исток: 25 В
Id — непрерывный ток стока: 47 А
Rds On — сопротивление сток-исток: 580 мкОм
Vgs — Напряжение затвор-исток: — 16 В, + 16 В
Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток: 2 В
Qg — Заряд ворот: 82 нКл
Минимальная рабочая температура: — 55 С.
Максимальная рабочая температура: + 150 С
Pd — Рассеиваемая мощность: 2,1 Вт
Режим канала: Улучшение
Тип упаковки: лента и катушка
Время спада: 5,3 нс
Прямая крутизна — мин: 260 С
Время нарастания: 2,6 нс
Тип транзистора: 1 N-канальный
Типичное время задержки выключения: 27 нс
Типичное время задержки включения: 5,3 нс

Обсудить "IQE006NE2LM5CGSCATMA1"

Наши специалисты свяжутся с вами в ближайшее время!

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с политикой конфиденциальности

Похожие товары

В каталог
BSC093N15NS5SCATMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
ISC800P06LMATMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
DTB523YMT2L
Производитель:
ROHM Semiconductor
Подробнее
RN4903,LXHF(CT
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробнее
SISHA18ADN-T1-GE3
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
SISF20DN-GE3
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
AO4407A
Производитель:
Alpha and Omega Semiconductor
Подробнее
SIZ348DT-T1-GE3
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
Страницы
  • Главная
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
Ассортимент
  • Каталог
  • Корзина
  • Оформление
Документы
  • Обработка персональных данных
  • Принцип работы
  • Политика конфиденциальности
  • Реквизиты
Контакты
  • г. Москва, ул. Зацепа, д. 28, стр. 1, офис №2
  • procurement@esp.com.ru
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

Копирайт © 2025 SpaceChip, Все права защищены.