SIDR5802EP-T1-RE3
Детали
| Производитель | |
|---|---|
| Тип |
Под заказ
20 в наличии
| Vishay | ||
| Категория продукта: | МОП-транзистор | |
| RoHS: | Соответствует | |
| Да | ||
| SMD/SMT | ||
| PowerPAK SO-8DC | ||
| N-канал | ||
| 1 канал | ||
| 80 В | ||
| 153 А | ||
| 2,9 мОм | ||
| — 20 В, + 20 В | ||
| 4 В | ||
| 28 нК | ||
| — 55 С | ||
| +175 С | ||
| 150 Вт | ||
| Улучшение | ||
| SiDR5802EP | ||
| Катушка | ||
| Разрезать ленту | ||
| Норма упаковки: | 3000 | |
| Бренд: | Vishay Полупроводники | |
| Время осени: | 13 нс | |
| Прямая крутизна – мин: | 49 с | |
| Тип продукта: | МОП-транзистор | |
| Время нарастания: | 16 нс | |
| Тип транзистора: | 1 N-канал | |
| Подкатегория: | МОП-транзисторы | |
| Типичное время задержки включения: | 21 нс | |
| Типичное время задержки выключения: | 25 нс | |
ФУНКЦИИ
• Силовой МОП-транзистор TrenchFET® Gen V
• Очень низкий показатель качества RDS — Qg (FOM).
• Настроен на самый низкий RDS — Qoss FOM
• 100 % проверено на Rg и UIS.
Производитель: Vishay
Категория продукта: МОП-транзистор
RoHS: Соответствует
Технология: Си
Тип монтажа: СМД/СМТ
Тип упаковки/кейс: Power PAK SO-8DC
Полярность транзистора: N-канал
Количество каналов: 1 канал
Vds — напряжение пробоя сток-исток: 80 В
Id — непрерывный ток стока: 153 А
Rds включен — сопротивление сток-исток: 2,9 мОм
Vgs — Напряжение затвор-исток: — 20 В, + 20 В
Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток: 4 В
Qg — Заряд ворот: 28 нКл
Минимальная рабочая температура: — 55 С.
Максимальная рабочая температура: + 175 С
Pd — Рассеиваемая мощность: 150 Вт
Режим канала: Улучшение
Серия: SiDR5802EP
Тип упаковки: лента и катушка
Время спада: 13 нс
Прямая крутизна — мин: 49 С
Время нарастания: 16 нс
Тип транзистора: 1 N-канальный
Типичное время задержки выключения: 25 нс
Типичное время задержки включения: 21 нс
Обсудить "SIDR5802EP-T1-RE3"
Наши специалисты свяжутся с вами в ближайшее время!
