Перейти к содержимому
  • Не нашли нужные компоненты – отправьте Вашу спецификацию нам на email
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
0 ₽ 0 Cart
Главная
/
Каталог

/Транзисторы/Электроника/Печатные платы и компоненты
/
SIHK055N60E-T1-GE3

SIHK055N60E
SIHK055N60E-T1-GE3

SIHK055N60E-T1-GE3

SKU : sihk055n60e-t1-ge3
Категории: Печатные платы и компоненты, Транзисторы, Электроника
Vishay Semiconductors

Детали

Производитель

Vishay Semiconductors

Тип

MOSFET

Под заказ

20 в наличии

Спецификация (Data Sheet)
SIHK055N60E-T1-GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Описание: МОП-транзистор N-КАНАЛЬНЫЙ 600 В
Жизненный цикл: Новый продукт: Новинка от этого производителя.
Vishay
Категория продукта: МОП-транзистор
RoHS: Соответствует
Да
SMD/SMT
ПауэрПак-9
N-канал
1 канал
600 В
42 А
56 мОм
— 30 В, + 30 В
5 В
54 нК
— 55 С
+ 150 С
236 Вт
Улучшение
Катушка
Разрезать ленту
Норма упаковки: 2000
Бренд: Vishay Полупроводники
Конфигурация: Один
Время осени: 14 нс
Тип продукта: МОП-транзистор
Время нарастания: 40 нс
Подкатегория: МОП-транзисторы
Тип транзистора: 1 N-канал
Типичное время задержки включения: 51 нс
Типичное время задержки выключения: 34 нс

ФУНКЦИИ
• Технология серии E 4-го поколения
• Низкая добротность (FOM) Ron x Qg
• Низкая эффективная емкость (Co(er))
• Снижение потерь на переключение и проводимость.
• Рейтинг лавинной энергии (UIS)
Производитель: Vishay
Категория продукта: МОП-транзистор
RoHS: Соответствует
Технология: Си
Тип монтажа: СМД/СМТ
Тип упаковки/кейс: PowerPak-9
Полярность транзистора: N-канал
Количество каналов: 1 канал
Vds — напряжение пробоя сток-исток: 600 В
Id — непрерывный ток стока: 42 А
Rds включен – сопротивление сток-исток: 56 мОм
Vgs — Напряжение затвор-исток: — 30 В, + 30 В
Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток: 5 В
Qg — заряд ворот: 54 нКл
Минимальная рабочая температура: — 55 С.
Максимальная рабочая температура: + 150 С
Pd — Рассеиваемая мощность: 236 Вт
Режим канала: Улучшение
Тип упаковки: лента и катушка
Конфигурация: Одиночная
Время спада: 14 нс
Время нарастания: 40 нс
Тип транзистора: 1 N-канальный
Типичное время задержки выключения: 34 нс
Типичное время задержки включения: 51 нс

Обсудить "SIHK055N60E-T1-GE3"

Наши специалисты свяжутся с вами в ближайшее время!

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с политикой конфиденциальности

Похожие товары

В каталог
IPDQ60R065S7XTMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
BSC160N15NS5SCATMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
DTB523YMT2L
Производитель:
ROHM Semiconductor
Подробнее
RN4903,LXHF(CT
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробнее
DTC643TKT146
Производитель:
ROHM Semiconductor
Подробнее
SISHA18ADN-T1-GE3
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
AO4407A
Производитель:
Alpha and Omega Semiconductor
Подробнее
SPW15N60C3FKSA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
Страницы
  • Главная
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
Ассортимент
  • Каталог
  • Корзина
  • Оформление
Документы
  • Обработка персональных данных
  • Принцип работы
  • Политика конфиденциальности
  • Реквизиты
Контакты
  • г. Москва, ул. Зацепа, д. 28, стр. 1, офис №2
  • procurement@esp.com.ru
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

Копирайт © 2025 SpaceChip, Все права защищены.