Перейти к содержимому
  • Не нашли нужные компоненты – отправьте Вашу спецификацию нам на email
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
0 ₽ 0 Cart
Главная
/
Каталог

/Транзисторы/Электроника/Печатные платы и компоненты
/
SQJQ144AER-T1_GE3

3773149-40
SQJQ144AER-T1_GE3

SQJQ144AER-T1_GE3

SKU : sqjq144aer-t1_ge3
Категории: Печатные платы и компоненты, Транзисторы, Электроника
Vishay Semiconductors

Детали

Производитель

Vishay Semiconductors

Тип

MOSFET

Под заказ

20 в наличии

Спецификация (Data Sheet)
SQJQ144AER-T1_GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Описание: МОП-транзистор N-CHANNEL 40-V (DS) 175C MOSFET
Жизненный цикл: Новый продукт: Новинка от этого производителя.
Vishay
Категория продукта: МОП-транзистор
RoHS: Соответствует
Да
SMD/SMT
PowerPAK-8-8LR-8
N-канал
1 канал
40 В
575 А
9 мОм
— 20 В, + 20 В
3,5 В
116 нК
— 55 С
+175 С
600 Вт
Улучшение
SQJ
Катушка
Разрезать ленту
Норма упаковки: 2000
Бренд: Vishay Полупроводники
Время осени: 18 нс
Прямая крутизна – мин: 160 с
Тип продукта: МОП-транзистор
Время нарастания: 27 нс
Тип транзистора: 1 N-канал
Подкатегория: МОП-транзисторы
Типичное время задержки включения: 17 нс
Типичное время задержки выключения: 41 нс

ФУНКЦИИ
• Силовой МОП-транзистор TrenchFET® Gen IV
• Соответствует стандарту AEC-Q101.
• 100 % проверено на Rg и ​​UIS.
• Тонкий корпус толщиной 1,6 мм.
• Очень низкое термическое сопротивление
Производитель: Vishay
Категория продукта: МОП-транзистор
RoHS: Соответствует
Технология: Си
Тип монтажа: СМД/СМТ
Тип упаковки/кейс: PowerPAK-8-8LR-8
Полярность транзистора: N-канал
Количество каналов: 1 канал
Vds — напряжение пробоя сток-исток: 40 В
Id — непрерывный ток стока: 575 А
Rds включен — сопротивление сток-исток: 9 мОм
Vgs — Напряжение затвор-исток: — 20 В, + 20 В
Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток: 3,5 В
Qg — Заряд ворот: 116 нКл
Минимальная рабочая температура: — 55 С.
Максимальная рабочая температура: + 175 С
Pd — Рассеиваемая мощность: 600 Вт
Режим канала: Улучшение
Серия: SQJ
Тип упаковки: лента и катушка
Время спада: 18 нс
Прямая крутизна — мин: 160 с
Время нарастания: 27 нс
Тип транзистора: 1 N-канальный
Типичное время задержки выключения: 41 нс
Типичное время задержки включения: 17 нс

Обсудить "SQJQ144AER-T1_GE3"

Наши специалисты свяжутся с вами в ближайшее время!

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с политикой конфиденциальности

Похожие товары

В каталог
SQA602CEJW-T1_GE3
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
IPDQ60R065S7XTMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
DTB543EETL
Производитель:
ROHM Semiconductor
Подробнее
RN4908,LXHF(CT
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробнее
RN4989,LXHF(CT
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробнее
DTC643TKT146
Производитель:
ROHM Semiconductor
Подробнее
SI4228DY-T1-GE3
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
DMP2200UDW-13
Производитель:
Diodes Incorporated
Подробнее
Страницы
  • Главная
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
Ассортимент
  • Каталог
  • Корзина
  • Оформление
Документы
  • Обработка персональных данных
  • Принцип работы
  • Политика конфиденциальности
  • Реквизиты
Контакты
  • г. Москва, ул. Зацепа, д. 28, стр. 1, офис №2
  • procurement@esp.com.ru
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

Копирайт © 2025 SpaceChip, Все права защищены.