MRF1K50NR5
Детали
| Производитель | |
|---|---|
| Тип | |
| Вес |
Под заказ
15 в наличии
Мощные ВЧ-транзисторы NXP MRF1K50N и MRF1K50GNR5 предназначены для выдачи мощности 1,50 кВт в непрерывном режиме при напряжении 50 В и уменьшения количества транзисторов в мощных ВЧ-усилителях. Конструкция входов и выходов этих устройств позволяет использовать широкий диапазон частот от 1,8 МГц до 500 МГц.
Функции
• Высокая способность поглощения лавинной энергии сток-источник.
• Непревзойденный вход и выход, позволяющий использовать широкий диапазон частот.
• Устройство можно использовать в несимметричном или двухтактном режиме.
• Характеризуется напряжением от 30 до 50 В для простоты использования.
• Подходит для линейного применения.
• Встроенная защита от электростатического разряда с расширенным диапазоном отрицательных напряжений затвор-исток для улучшения работы класса C.
• Рекомендуемый драйвер: MRFE6VS25N (25 Вт)
Производитель: NXP Semiconductors
Тип продукта: МОП-транзистор-РФ
Тип транзистора: LDMOS FET
RoHS: Соответствует
Полярность транзистора: N-канал
Технология: Си
Id — непрерывный ток стока: 36 А
Vds — напряжение пробоя сток-исток: 133 В
Рабочая частота: от 1,8 МГц до 500 МГц
Усиление: 23 дБ
Выходная мощность: 1,5 кВт
Минимальная рабочая температура: — 40 С.
Максимальная рабочая температура: + 150 С
Прямая крутизна — мин.: 33,5 S
Чувствительность к влаге: Да
Количество каналов: 2 канала
Pd — Рассеиваемая мощность: 2,941 кВт
Vgs — напряжение затвор-исток: — 6 В, 10 В
Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток: 1,7 В
Тип монтажа: СМД/СМТ
Тип упаковки/кейс: OM-1230-4L
Тип упаковки: лента и катушка
Обсудить "MRF1K50NR5"
Наши специалисты свяжутся с вами в ближайшее время!
