Перейти к содержимому
  • Не нашли нужные компоненты – отправьте Вашу спецификацию нам на email
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
0 ₽ 0 Cart
Главная
/
Каталог

/Транзисторы/Электроника/Печатные платы и компоненты
/
MRF275G

MRF275G
MRF275G

MRF275G

SKU : mrf275g
Категории: Печатные платы и компоненты, Транзисторы, Электроника
MACOM Technology Solutions

Детали

Производитель

MACOM Technology Solutions

Тип

MOSFETs — RF

Вес

43.782g

Под заказ

15 в наличии

Спецификация (Data Sheet)

Устройства серии MACOM Tech MRF представляют собой высокопроизводительные биполярные ВЧ-транзисторы с частотой от 1 МГц до 3,5 ГГц. Эти биполярные транзисторы MACOM Tech идеально подходят для авионики, связи, радаров, а также промышленных, научных и медицинских приложений. Устройства серии MRF являются частью широкого спектра силовых ВЧ-транзисторов, в который также входят усилители поддонов, транзисторы TMOS и DMOS, а также транзисторы LDMOS.
Разработан в первую очередь для широкополосных выходных сигналов большого сигнала и каскадов драйверов от 100 до 500 МГц.
Режим улучшения N-канала
 Гарантированная производительность при 500 МГц, 28 В постоянного тока
Выходная мощность — 150 Вт
Коэффициент усиления — 10 дБ (мин.)
КПД — 50% (мин.)
 100 % протестировано на несоответствие нагрузки при всех фазовых углах с КСВ 30:1.
 Общая меньшая емкость при 28 В.
Цисс — 135 пФ
Косс — 140 пФ
Crss — 17 пФ
 Упрощенные AVC, ALC и модуляция.
Типовые данные для усилителей мощности промышленного и
коммерческие приложения:
 Типичные характеристики при 400 МГц, 28 В постоянного тока
Выходная мощность — 150 Вт
Коэффициент усиления — 12,5 дБ
КПД — 60%
 Типичные характеристики при 225 МГц, 28 В постоянного тока
Выходная мощность — 200 Вт
Коэффициент усиления — 15 дБ
КПД — 65%
Производитель: MACOM Technology Solutions
Тип продукта: МОП-транзистор-РФ
RoHS: Соответствует
Полярность транзистора: N-канал
Технология: Си
Id — непрерывный ток стока: 26 А
Vds — напряжение пробоя сток-исток: 65 В
Рабочая частота: от 100 МГц до 500 МГц
Усиление: 11,2 дБ
Выходная мощность: 150 Вт
Минимальная рабочая температура: — 65 С.
Максимальная рабочая температура: + 150 С
Конфигурация: Двойная
Pd — Рассеиваемая мощность: 400 Вт
Vgs — напряжение затвор-исток: 40 В
Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток: 2,5 В
Тип монтажа: СМД/СМТ
Тип упаковки/кейс: 375-04
Тип упаковки: Лоток

Обсудить "MRF275G"

Наши специалисты свяжутся с вами в ближайшее время!

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с политикой конфиденциальности

Похожие товары

В каталог
BSC160N15NS5SCATMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
RN4908,LXHF(CT
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробнее
RN4903,LXHF(CT
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробнее
RN4989,LXHF(CT
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробнее
DTB523YETL
Производитель:
ROHM Semiconductor
Подробнее
SISHA18ADN-T1-GE3
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
IRF840HPBF
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
SI4228DY-T1-GE3
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
Страницы
  • Главная
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
Ассортимент
  • Каталог
  • Корзина
  • Оформление
Документы
  • Обработка персональных данных
  • Принцип работы
  • Политика конфиденциальности
  • Реквизиты
Контакты
  • г. Москва, ул. Зацепа, д. 28, стр. 1, офис №2
  • procurement@esp.com.ru
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

Копирайт © 2025 SpaceChip, Все права защищены.