Эти устройства повышенной прочности предназначены для использования в промышленных (включая лазерные и плазменные возбудители), радиовещательных (аналоговых и цифровых), аэрокосмических и радио/наземных мобильных устройствах с высоким КСВ. Это непревзойденные конструкции входов и выходов, позволяющие использовать широкий диапазон частот от 1,8 до 600 МГц.

• Типичные характеристики: VDD = 50 В, IDQ = 100 мА

• Способность выдерживать несоответствие нагрузки КСВН 65:1, при 50 В постоянного тока, 230 МГц, при всех фазовых углах, разработана для повышенной надежности • Пиковая импульсная мощность 600 Вт, рабочий цикл 20 %, 100 мкс

Функции
• Непревзойденный вход и выход, позволяющий использовать широкий диапазон частот.
• Устройство можно использовать в одностороннем режиме или в двухтактной конфигурации.
• Квалифицированная работа максимум до 50 VDD
• Характеризуется от 30 В до 50 В для расширенного диапазона мощности.
• Подходит для линейного применения с соответствующим смещением
• Встроенная защита от электростатического разряда с расширенным диапазоном отрицательных напряжений затвор-исток для улучшения работы класса C.
• Характеризуется последовательными эквивалентными параметрами импеданса большого сигнала.
• Соответствует RoHS
• В ленте и на катушке. Суффикс R6 = 150 единиц, ширина ленты 56 мм, катушка 13 дюймов.
Производитель: NXP Semiconductors
Тип продукта: МОП-транзистор-РФ
RoHS: Соответствует
Серия: MRFE6VP5600
Полярность транзистора: N-канал
Технология: Си
Vds — напряжение пробоя сток-исток: 130 В
Рабочая частота: от 1,8 МГц до 600 МГц
Усиление: 25 дБ
Выходная мощность: 600 Вт
Максимальная рабочая температура: + 150 С
Конфигурация: Двойная
Pd — Рассеиваемая мощность: 1,667 кВт
Vgs — напряжение затвор-исток: 10 В
Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток: 2,2 В
Тип монтажа: СМД/СМТ
Тип упаковки/кейс: NI-1230
Тип упаковки: лента и катушка