TK6R9P08QM,RQ
Детали
| Производитель | |
|---|---|
| Тип |
Под заказ
20 в наличии
| Тошиба | ||
| Категория продукта: | МОП-транзистор | |
| RoHS: | Соответствует | |
| Да | ||
| SMD/SMT | ||
| ДПАК-2 | ||
| N-канал | ||
| 1 канал | ||
| 80 В | ||
| 62 А | ||
| 6,9 мОм | ||
| — 20 В, + 20 В | ||
| 3,5 В | ||
| 39 нК | ||
| — | ||
| +175 С | ||
| 89 Вт | ||
| Улучшение | ||
| UMOS X-H | ||
| Катушка | ||
| Разрезать ленту | ||
| Норма упаковки: | 2500 | |
| Бренд: | Тошиба | |
| Время осени: | 53 нс | |
| Тип продукта: | МОП-транзистор | |
| Время нарастания: | 45 нс | |
| Тип транзистора: | 1 N-канал | |
| Подкатегория: | МОП-транзисторы | |
| Типичное время задержки включения: | 60 нс | |
| Типичное время задержки выключения: | 89 нс | |
| Псевдонимы № части: | TK6R9P08QM,RQ(S2 | |
Функции
• Высокоскоростное переключение
• Малый заряд затвора: QSW = 11,6 нКл (тип.)
• Малый выходной заряд: Qoss = 46 нКл (тип.)
• Низкое сопротивление открытого состояния сток-исток: RDS(ON) = 5,5 мОм (тип.) (VGS = 10 В).
• Низкий ток утечки: IDSS = 10 мкА (макс.) (VDS = 80 В).
• Режим расширения: Vth = от 2,5 до 3,5 В (VDS = 10 В, ID = 0,5 мА)
Производитель: Тошиба
Категория продукта: МОП-транзистор
RoHS: Соответствует
Технология: Си
Тип монтажа: СМД/СМТ
Тип упаковки/кейс: ДПАК-2
Полярность транзистора: N-канал
Количество каналов: 1 канал
Vds — напряжение пробоя сток-исток: 80 В
Id — непрерывный ток стока: 62 А
Rds включен – сопротивление сток-исток: 6,9 мОм
Vgs — Напряжение затвор-исток: — 20 В, + 20 В
Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток: 3,5 В
Qg — Заряд ворот: 39 нКл
Минимальная рабочая температура: —
Максимальная рабочая температура: + 175 С
Pd — Рассеиваемая мощность: 89 Вт
Режим канала: Улучшение
Серия: UMOS X-H
Тип упаковки: лента и катушка
Время спада: 53 нс
Время нарастания: 45 нс
Тип транзистора: 1 N-канальный
Типичное время задержки выключения: 89 нс
Типичное время задержки включения: 60 нс
Обсудить "TK6R9P08QM,RQ"
Наши специалисты свяжутся с вами в ближайшее время!
