Перейти к содержимому
  • Не нашли нужные компоненты – отправьте Вашу спецификацию нам на email
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
  • Главная
  • Каталог
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
0 ₽ 0 Cart
Главная
/
Каталог

/Транзисторы/Электроника/Печатные платы и компоненты
/
SIRS700DP-T1-GE3

SIRS700DP
SIRS700DP-T1-GE3

SIRS700DP-T1-GE3

SKU : sirs700dp-t1-ge3
Категории: Печатные платы и компоненты, Транзисторы, Электроника
Vishay Semiconductors

Детали

Производитель

Vishay Semiconductors

Тип

MOSFET

Под заказ

20 в наличии

Спецификация (Data Sheet)
SIRS700DP-T1-GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Описание: MOSFET N-CH 100-V MSFT
Жизненный цикл: Новый продукт: Новинка от этого производителя.
Vishay
Категория продукта: МОП-транзистор
RoHS: Соответствует
SMD/SMT
ПауэрПАК СО-8
N-канал
1 канал
100 В
120 А
3,2 мОм
— 20 В, + 20 В
4 В
86 нК
— 55 С
+ 150 С
132 Вт
Улучшение
Катушка
Разрезать ленту
Норма упаковки: 3000
Бренд: Vishay Полупроводники
Конфигурация: Один
Время осени: 12 нс
Прямая крутизна – мин: 125 с.
Тип продукта: МОП-транзистор
Время нарастания: 8 нс
Подкатегория: МОП-транзисторы
Типичное время задержки включения: 25 нс
Типичное время задержки выключения: 40 нс

ФУНКЦИИ
• Силовой МОП-транзистор TrenchFET® Gen IV
• Очень низкий показатель качества RDS x Qg (FOM)
• Лидерство RDS(on) минимизирует потери мощности из-за проводимости
• 100 % проверено на Rg и ​​UIS.
• Увеличьте рассеиваемую мощность и понизьте RthJC.
Производитель: Vishay
Категория продукта: МОП-транзистор
RoHS: Соответствует
Тип монтажа: СМД/СМТ
Тип упаковки/кейс: PowerPAK SO-8
Полярность транзистора: N-канал
Количество каналов: 1 канал
Vds — напряжение пробоя сток-исток: 100 В
Id — непрерывный ток стока: 120 А
Rds включен — сопротивление сток-исток: 3,2 мОм
Vgs — Напряжение затвор-исток: — 20 В, + 20 В
Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток: 4 В
Qg — Заряд ворот: 86 нКл
Минимальная рабочая температура: — 55 С.
Максимальная рабочая температура: + 150 С
Pd — Рассеиваемая мощность: 132 Вт
Режим канала: Улучшение
Тип упаковки: лента и катушка
Конфигурация: Одиночная
Время спада: 12 нс
Прямая крутизна — мин.: 125 С
Время нарастания: 8 нс
Типичное время задержки выключения: 40 нс
Типичное время задержки включения: 25 нс

Обсудить "SIRS700DP-T1-GE3"

Наши специалисты свяжутся с вами в ближайшее время!

Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с политикой конфиденциальности

Похожие товары

В каталог
BSC093N15NS5SCATMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
SQA602CEJW-T1_GE3
Производитель:
Vishay Semiconductors
Подробнее
BSC009N04LSSCATMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
IPDQ60R065S7XTMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Подробнее
DTB523YMT2L
Производитель:
ROHM Semiconductor
Подробнее
RN4903,LXHF(CT
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробнее
UJ4SC075009B7S
Производитель:
UnitedSiC
Подробнее
DTC643TKT146
Производитель:
ROHM Semiconductor
Подробнее
Страницы
  • Главная
  • О компании
  • Испытательный центр
  • Отзывы
  • Контакты
Ассортимент
  • Каталог
  • Корзина
  • Оформление
Документы
  • Обработка персональных данных
  • Принцип работы
  • Политика конфиденциальности
  • Реквизиты
Контакты
  • г. Москва, ул. Зацепа, д. 28, стр. 1, офис №2
  • procurement@esp.com.ru
  • info.msk@esp.com.ru
  • +7 (495) 633 22-44

SpaceChip

Копирайт © 2025 SpaceChip, Все права защищены.